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申请/专利权人：苏州科技大学
摘要：本发明涉及一种溴掺杂的碘铋铜半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、按化学比例调控溴化亚铜、碘化亚铜、碘化铋和碘单质，化学比例为：溴化亚铜与碘化亚铜的摩尔比例为0‑0.4之间，铜元素与铋元素的摩尔比例为0.4‑1.0，碘单质摩尔数等于溴化亚铜和碘化亚铜之和；S2、以N,N‑二甲基甲酰胺DMF为溶剂，将步骤S1中得到的混合物溶解，得到0.4‑0.8M浓度的碘铋铜溶液，作为旋涂前驱液；S3、采用旋涂法将前驱液涂布在衬底上；衬底为导电衬底或者带电极的绝缘基底；S4、对涂布后的基底进行热退火处理，退火温度为50℃至150℃，形成溴掺杂的碘铋铜半导体薄膜。本发明为碘铋铜在光电领域的应用提供了新的可能性，具有重要的科学价值和实际应用前景。
主权项：1.一种溴掺杂的碘铋铜半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按化学比例调控溴化亚铜、碘化亚铜、碘化铋和碘单质，化学比例为：溴化亚铜与碘化亚铜的摩尔比例为0-0.4之间，铜元素与铋元素的摩尔比例为0.4-1.0，碘单质摩尔数等于溴化亚铜和碘化亚铜之和；S2、以N,N-二甲基甲酰胺DMF为溶剂，将步骤S1中得到的混合物溶解，得到0.4-0.8M浓度的碘铋铜溶液，作为旋涂前驱液；S3、采用旋涂法将前驱液涂布在衬底上；衬底为导电衬底或者带电极的绝缘基底；S4、对涂布后的基底进行热退火处理，退火温度为50℃至150℃，形成溴掺杂的碘铋铜半导体薄膜。
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百度查询： 苏州科技大学 溴掺杂的碘铋铜半导体薄膜的制备方法
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