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申请/专利权人：厦门未来显示技术研究院有限公司

摘要：本发明提供了一种Micro‑LED芯片及其制作方法，其中，本申请提供的Micro‑LED芯片的制作方法，在形成MESA光刻图形过程中通过设置第一坚膜温度与第二坚膜温度形成温度差，使光刻胶在不同温度差中形成不同程度的热流动，进而形成尺寸及角度可控的MESA光刻图形，且，MESA光刻图形侧壁与MESA光刻图形底面所夹锐角为第一角度θ1，再通过IPC干法刻蚀工艺在外延结构中形成第二角度θ2，且，35°≤θ1＝θ2≤80°，可避免第二角度太缓或太陡导致的可靠性差及光提取率低的问题，进而提高Micro‑LED芯片的可靠性及光提取率。

主权项：1.一种Micro-LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤S100、提供一衬底；步骤S200、在所述衬底上层叠外延结构，所述外延结构沿背离所述衬底的方向依次包括层叠的第一型半导体层、有源区和第二型半导体层；步骤S300、在所述外延结构的部分上表面制备MESA光刻图形；所述步骤S300包括以下工序：步骤S301、在所述外延结构的上表面涂覆光刻胶，采用第一坚膜温度对光刻胶进行软烤；步骤S302、采用光刻掩膜版对光刻胶进行遮蔽，并对未遮蔽区域进行曝光；步骤S303、通过显影液显影去除需要被刻蚀的外延结构区域的光刻胶以显露对应位置的第二型半导体层；步骤S304、采用第二坚膜温度对光刻胶进行硬烤，使所述MESA光刻图形呈上窄下宽的结构，且，MESA光刻图形侧壁与MESA光刻图形底面所夹锐角为第一角度，所述第一角度为θ1；其中，第一坚膜温度与第二坚膜温度的温度差为T，且，50℃≥T≥10℃；步骤S400、通过ICP干法刻蚀工艺沿显露的所述第二型半导体层刻蚀，以露出部分所述第一型半导体层形成第一台面；并去除所述MESA光刻图形，以显露所述第二型半导体层形成第二台面；其中，所述第一台面与所述第二台面之间的刻蚀面为倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述第一台面所在平面之间的锐角为第二角度，所述第二角度为θ2，且，35°≤θ1＝θ2≤80°；步骤S500、沉积整面绝缘保护层，使其覆盖所述外延结构的裸露面，并通过光刻、刻蚀工艺在缘保护层中形成第一开孔和第二开孔，所述第一开孔露出所述第一型半导体层的部分表面，所述第二开孔露出所述第二型半导体层的部分表面；步骤S600、制备第一电极和第二电极；在所述第一开孔沉积第一电极并与所述第一型半导体层形成电连接；在所述第二开孔沉积第二电极并与所述第二型半导体层形成电连接。

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