龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海道之科技有限公司
摘要：本发明公开了一种双P阱结构的平面型碳化硅器件，属于碳化硅器件技术领域；包括衬底层；外延层，位于衬底层的上方，外延层内设有第一P阱区和位于第一P阱区外侧的第二P阱区，外延层的上表面至少部分设有栅氧化层；多晶硅栅，位于栅氧化层的上方；介质层，与栅氧化层相接触并包裹多晶硅栅；源极层，设于介质层上方以及介质层之间的沟槽内；漏极层，位于衬底层的下方。上述技术方案的有益效果是：提供一种平面型碳化硅器件，能够降低器件的跨导，在感性负载关断时降低尖峰电压，提高关断速度，降低关断损耗。
主权项：1.一种双P阱结构的平面型碳化硅器件，其特征在于，包括，衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1的上方，所述外延层2内设有第一P阱区21和位于所述第一P阱区21外侧的第二P阱区22，所述外延层2的上表面至少部分设有栅氧化层3；多晶硅栅4，位于所述栅氧化层3的上方；介质层5，与所述栅氧化层3相接触并包裹所述多晶硅栅4；源极层6，设于所述介质层5上方以及所述介质层5之间的沟槽内；漏极层7，位于所述衬底层1的下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海道之科技有限公司 一种双P阱结构的平面型碳化硅器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号