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X射线分析装置和方法 

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申请/专利权人:马尔文帕纳科公司

摘要:本发明涉及一种X射线分析装置和方法,该方法是用于分析样品的X射线方法。X射线分析装置包括X射线源,该X射线源包括阳极和阴极并且被配置为照射阳极的目标表面上的被照射的区域。X射线分析装置还包括转向装置、处理器和控制器。该转向装置被配置成定位阳极的目标表面上的该被照射的区域。处理器被配置为接收X射线分析信息,并基于X射线分析信息确定目标表面上的被照射的区域的位置变化。控制器被配置为根据由处理器确定的位置变化来控制转向装置以移动目标表面上的被照射的区域。

主权项:1.一种X射线分析装置,包括:X射线源,所述X射线源用于用X射线照射样品,其中所述X射线源包括用于生成X射线的阳极和用于向所述阳极发射电子束以照射所述阳极的目标表面上的被照射的区域的阴极;转向装置,所述转向装置用于定位所述阳极的目标表面上的所述被照射的区域;处理器,所述处理器被配置为接收X射线分析信息,并基于所述X射线分析信息确定所述目标表面上的所述被照射的区域的位置变化;控制器,所述控制器被配置为根据由所述处理器确定的所述位置变化来控制所述转向装置以移动所述目标表面上的所述被照射的区域;其中,所述X射线分析装置适用于以下至少一项:微斑相位分析、斑映射、微斑应力和纹理分析、高分辨率薄膜分析、小角度X射线散射、掠入射小角度X射线散射、反射率、平面内分析、X射线衍射、X射线荧光以及组合的X射线衍射和X射线荧光分析。

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