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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种SOI器件的建模方法，包括：提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，器件模型具有自加热效应模型；获取器件模型在DC应用模式下的自热效应热阻参数；根据MOS晶体管在不同沟道宽度下的截止频率获取RF应用模式下的自热效应系数；在器件模型的基础上增加子模型，将DC应用模式下的自热效应热阻参数和RF应用模式下的自热效应系数的乘积作为修改后的器件模型在RF应用模式下的自热效应热阻参数。本发明将在RF应用模式下将截止频率考虑到自热效应参数的提取中，从而提高了截止频率的拟合精度，提高了SOI器件在RF高频应用下的模型精度。
主权项：1.一种SOI器件的建模方法，其特征在于，包括：提供采用SOI衬底的MOS晶体管及对应的器件模型，所述器件模型具有自加热效应模型；获取所述器件模型在DC应用模式下的自热效应热阻参数；根据所述MOS晶体管在不同沟道宽度下的截止频率获取RF应用模式下的自热效应系数；在所述器件模型的基础上增加子模型，将所述DC应用模式下的自热效应热阻参数和RF应用模式下的自热效应系数的乘积作为修改后的所述器件模型在RF应用模式下的自热效应热阻参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 SOI器件的建模方法
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