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申请/专利权人:泉州三安半导体科技有限公司
摘要:本发明提供一种发光二极管及其制造方法及发光装置,在半导体外延叠层中形成台面孔,该台面孔的边缘距离半导体外延叠层的各个侧壁均具有一定距离,即台面孔形成为位于半导体外延叠层内部的封闭台面,而整个半导体外延叠层形成发光二极管的第一台面,并且第一台面的侧壁为一段式齐平侧壁,不存在台阶或类似结构。上述台面孔刻蚀和第一台面的刻蚀不需要进行套刻对准,也就不存在对位偏差,也有利于减少半导体外延叠层的刻蚀,有利于增加发光二极管的出光面积提高约10%~15%,缓解尺寸效应的影响,同时能够提高产品的良率。
主权项:1.一种发光二极管,其特征在于,包括:半导体外延叠层,具有在第一方向上相对的第一表面和第二表面,自所述第一表面至第二表面包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,其中所述第一表面侧为出光面,所述半导体外延叠层的第二半导体层形成所述发光二极管的第一台面,所述第一台面的侧壁形成为一段式齐平侧壁;衬底,与所述半导体外延叠层相互键合,所述半导体外延叠层第一台面外围的所述衬底边缘区域形成所述发光二极管的第二台面;键合层,位于所述半导体外延叠层和所述衬底之间,以键合所述衬底与所述半导体外延叠层。
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