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申请/专利权人：通威微电子有限公司

摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置和方法，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置包括坩埚本体、坩埚盖、升降驱动组件、称重件和控制器，坩埚盖活动盖设在坩埚本体的顶端，升降驱动组件设置在坩埚盖上方，并与坩埚盖传动连接；称重件设置在升降驱动组件上，用于测量坩埚盖和碳化硅晶体的重量，并生成重量信息；控制器与升降驱动组件和称重件同时通信连接，用于依据重量信息控制升降驱动组件提升坩埚盖，以使碳化硅晶体的生长面与坩埚本体保持相对固定。相较于现有技术，本发明能够依据碳化硅晶体的生长情况来调整其生长面的位置，使得生长面的位置始终保持相对固定，避免轴向温度随时间成长有不同，保证晶体生长质量。

主权项：1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚本体110，所述坩埚本体110用于容纳碳化硅粉料；坩埚盖130，所述坩埚盖130活动盖设在所述坩埚本体110的顶端，且所述坩埚盖130的底侧设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶200；升降驱动组件150，所述升降驱动组件150设置在所述坩埚盖130上方，并与所述坩埚盖130传动连接；称重件170，所述称重件170设置在所述升降驱动组件150上，用于测量所述坩埚盖130和所述碳化硅晶体的重量，并生成重量信息；控制器190，所述控制器190与所述升降驱动组件150和所述称重件170同时通信连接，用于依据所述重量信息控制所述升降驱动组件150提升所述坩埚盖130的速度，以使所述碳化硅晶体的生长面与所述坩埚本体110保持相对固定；其中，所述重量信息用于表征碳化硅晶体的生长情况；所述坩埚盖130包括生长凸台131和承载配合台133，所述生长凸台131设置在所述承载配合台133的底侧，且所述生长凸台131的直径小于所述承载配合台133的直径，所述承载配合台133活动设置在所述坩埚本体110的顶端；所述坩埚本体110的顶端形成有坩埚开口111，所述坩埚开口111的外围边缘还设置有向上延伸的配合环113，所述配合环113的内径与所述承载配合台133的外径相适配，以使所述承载配合台133与所述配合环113的内壁间隙配合；所述承载配合台133的顶端边缘还设置有止挡台阶135，所述止挡台阶135用于抵持在所述配合环113的顶端。

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