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申请/专利权人：北京工业大学
摘要：本发明提供一种雪崩光电探测器，包括硅衬底，埋层氧化硅形成于硅衬底上，硅台面区形成于埋层氧化硅上，硅接触区形成于硅台面区两侧的埋层氧化硅上，锗外延层形成于硅台面区上，第一电极与锗外延层欧姆接触，第二电极与硅接触区欧姆接触。该雪崩光电探测器中，锗外延层的面积小于硅台面区，且在锗外延层和硅台面区的同侧均刻蚀出直角结构，在锗外延层和硅台面区直角结构的相对一侧为光传入侧。该雪崩光电探测器具有吸收效率高、尺寸小、易于集成、损耗均匀性较好、加温控后热稳定性好、可与有源器件集成、强抗辐射能力和易于封装的优势。本发明还提供了该雪崩光电探测器的制备方法，该方法具有操作简单和重复性好的优点。
主权项：1.一种雪崩光电探测器，包括硅衬底，其特征在于，埋层氧化硅形成于所述硅衬底上，所述埋层氧化硅上设置硅台面区，硅接触区形成于所述硅台面区两侧的埋层氧化硅上，所述硅台面区上设置锗外延层，分别在所述硅接触区和锗外延层进行离子注入，设置第一电极与所述锗外延层欧姆接触，设置第二电极与所述硅接触区欧姆接触，其中，所述锗外延层的面积小于所述硅台面区，且在所述锗外延层和所述硅台面区的同侧均刻蚀出直角结构，在所述锗外延层和所述硅台面区直角结构的相对一侧为光传入侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种雪崩光电探测器及其制备方法
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