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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种立体型同质外延结构及其制备方法和应用。所述制备方法包括：S1、在氮化物单晶衬底表面覆设二维材料层，并在所述二维材料层表面加工出至少一个微纳尺度的盲孔；S2、于第一生长条件下，在所述二维材料层上生长III族氮化物材料，以形成至少一根微纳尺度的柱体，所述柱体沿与二维材料层表面成0至180°的夹角的方向延伸，且每一所述柱体至少底端填充于相应一盲孔内，至少顶端突露于二维材料层表面；S3、于第二生长条件下，在所述二维材料层上生长III族氮化物材料，以在每一所述柱体上形成三维包裹层，从而形成立体型同质外延结构。本发明可以实现多个立体型同质外延结构的自分离，且氮化物单晶衬底可以是重复利用。
主权项：1.一种立体型同质外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在氮化物单晶衬底表面覆设二维材料层，将表面覆设有二维材料层的氮化物单晶衬底置于反应室内，并将所述反应室内的温度保持在900-1100℃，先以包含氢气和氨气的第一混合气体对所述二维材料层进行第一次原位刻蚀，之后再以包含氢气和氨气的第二混合气体对所述二维材料层进行第二次原位刻蚀，从而在所述二维材料层表面刻蚀形成多个盲孔；其中，所述第一混合气体具有第一氢气含量，所述第二混合气体具有第二氢气含量，所述第一次原位刻蚀持续第一时间，所述第二次原位刻蚀持续第二时间，所述第一氢气含量大于第二氢气含量，所述第二时间大于第一时间，所述盲孔的孔径a、孔间距b、盲孔的底部与氮化物单晶衬底表面之间的距离c之比为（1-10）：（5-100）：（0.001-0.05）；S2、于第一生长条件下，在所述二维材料层上生长III族氮化物材料，以形成至少一根微纳尺度的柱体，所述柱体沿与二维材料层表面成0至180°的夹角的方向延伸，且每一所述柱体至少底端填充于相应一盲孔内，至少顶端突露于二维材料层表面；S3、于第二生长条件下，在所述二维材料层上生长III族氮化物材料，以在每一所述柱体上形成三维包裹层，从而形成立体型同质外延结构。
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权利要求：
百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 立体型同质外延结构及其制备方法和应用
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