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申请/专利权人：歌尔股份有限公司
摘要：本发明公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、高音单元和低音单元；高音单元设于所述导磁板，所述高音单元背离所述导磁板的一侧设有出音孔；所述低音单元包括低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述低音振膜位于所述出音孔的背离所述导磁板的一侧，所述低音振膜包括振动部和环设于所述振动部周缘的折环部，所述振动部的刚性大于所述折环部的刚性，所述振动部开设有正对所述出音孔的避让孔，所述避让孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径，所述避让孔和所述出音孔在所述低音振膜的振动方向上存在间距，且所述避让孔上设有第一阻尼件。本发明技术方案旨在优化低音振膜的结构，以提升发声器件的声学性能。
主权项：1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；高音单元，设于所述导磁板，所述高音单元背离所述导磁板的一侧设有出音孔；以及低音单元，所述低音单元包括低音振膜和驱动所述低音振膜振动的低音音圈，所述低音振膜位于所述出音孔的背离所述导磁板的一侧，所述低音振膜包括振动部和环设于所述振动部周缘的折环部，所述振动部的刚性大于所述折环部的刚性，所述振动部开设有正对所述出音孔的避让孔，所述避让孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径，所述避让孔和所述出音孔在所述低音振膜的振动方向上存在间距，且所述避让孔上设有第一阻尼件；所述高音单元包括第一磁路结构，所述第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；所述低音单元还包括第二磁路结构，所述第二磁路结构设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，所述第二磁路结构和所述第二子华司之间形成有低音磁间隙。
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