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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
摘要：本申请涉及一种金属氧化物半导体器件及其制备方法，该金属氧化物半导体器件包括衬底；外延层，设于衬底的一侧；第一体区和漂移区，沿第一方向邻接排布于外延层内；源区，设于第一体区内；漏区，设于漂移区内；漏区与源区沿第一方向间隔排布；栅极，设于外延层背离衬底的一侧，且位于源区和漏区之间；肖特基二极管，设于外延层内，且与源区并联。这样，当寄生体二极管续流时，与PN结源极相并联的肖特基二极管源极也会续流，而由于肖特基二极管的开启电压远低于PN结的开启电压，因此寄生漏电流被率先开启的肖特基二极管抽走，从而改善了体二极管开启后导致的寄生效应，提高了器件的ESD自保护能力，改善了器件的SOA性能。
主权项：1.一种金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，设于所述衬底的一侧；第一体区和漂移区，沿第一方向邻接排布于所述外延层内；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向；源区，设于所述第一体区内；漏区，设于所述漂移区内；所述漏区与所述源区沿所述第一方向间隔排布；栅极，设于所述外延层背离所述衬底的一侧，且位于所述源区和所述漏区之间；肖特基二极管，设于所述外延层内，且与所述源区并联。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 金属氧化物半导体器件及其制备方法
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