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一种半导体晶圆剥铝返工方法 

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申请/专利权人:上海陛通半导体能源科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种半导体晶圆剥铝返工方法,包括以下步骤:提供半导体晶圆,所述半导体晶圆包括铝层,以及位于铝层下的硅层;通过干法对部分铝层进行干法铝腐蚀;通过干法对腐蚀后的半导体晶圆进行干法扫硅渣,并同时进行超声波流水擦片;对剩余部分的铝层进行湿法铝腐蚀;对湿法铝腐蚀后的半导体晶圆进行漂洗并用刷子流水擦片,若合格则进行铝溅射,若不合格则重新漂洗并用刷子流水擦片至到合格,本发明通过分段剥铝,结合干法扫硅渣,以及通过刷子流水擦片的方式,可以提高剥铝的效率,减少返工时间,可为产能提升与提升产品良率起到极大作用。

主权项:1.一种半导体晶圆剥铝返工方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:提供半导体晶圆,所述半导体晶圆包括铝层;S2:通过干法对部分铝层进行干法铝腐蚀;S3:通过干法对腐蚀后的半导体晶圆进行干法扫硅渣,扫硅渣后进行超声波流水擦片;S4:对剩余部分的铝层进行湿法铝腐蚀;S5:若铝层下为硅层,则对湿法铝腐蚀后的半导体晶圆进行漂洗并用刷子流水擦片,合格则进行铝溅射,不合格则重新漂洗并用刷子流水擦片至合格;若铝层下为阻挡层,则对湿法铝腐蚀后,再进行湿法扫硅渣,然后进行流水擦片,合格则进行铝溅射,不合格则重新流水擦片至合格。

全文数据:

权利要求:

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