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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供了一种掩膜层返工的方法及半导体结构制造方法，属于半导体领域。该掩膜层返工的方法包括将所述NMOS区域表面的光刻胶层灰化，以去除光刻胶层；采用酮源有机溶剂或酮源有机溶剂的混合液对光刻胶层灰化之后的半导体结构进行清洗，去除掩膜层；重新在所述PMOS区域和NMOS区域的表面生长一层掩膜层。本发明通过采用NMP或者NMP和IPA的混合液对灰化之后的半导体结构进行清洗，由于NMP或者NMP和IPA的混合液既能够将光刻胶灰化之后的残留物去除，并且NMP或者NMP和IPA的混合液不会将氮化钛掩膜层去除，因此能够避免在返工之后的掩膜层的表面产生凹坑，当对掩膜层返工处理之后，能够避免在半导体结构层形成斑点缺陷。
主权项：1.一种掩膜层返工的方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域和NMOS区域的表面沉积有掩膜层，所述NMOS区域掩膜层的表面生长有光刻胶层；将所述NMOS区域表面的光刻胶层灰化，以去除光刻胶层；采用酮源有机溶剂或酮源有机溶剂的混合液对光刻胶层灰化之后的半导体结构进行清洗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 掩膜层返工的方法及半导体结构制造方法
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