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申请/专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体集成芯片和IGBT模块，通过在所述第一半导体器件的第一电极裸露的第一部分上设置第二半导体器件，所述第一半导体器件表面除第一电极外不需要布局其它电极，有利于所述第二半导体器件的位置和电极布局的灵活性设置，包含所述半导体集成芯片的IGBT模块由于温度传感器不需要占用IGBT芯片的元胞区的面积，从而不会引起IGBT芯片电流密度的下降和饱和压降的增加，提高了IGBT模块的性能；而且温度传感器和快速恢复二极管之间的隔离简单，工艺成本低；此外，FRD芯片结温要比IGBT芯片结温高，将温度传感放置在FRD芯片上，避免IGBT芯片超过最高工作结温，引起模块失效。
主权项：1.一种半导体集成芯片，其特征在于，包括：第一半导体器件和第二半导体器件，第一半导体器件包括第一导电类型的第一半导体区和第二导电类型的第二半导体区，以及包括分别与所述第一半导体区、第二半导体区相连的第一电极、第二电极，所述第一半导体器件为二极管器件，所述第二半导体器件为温度传感器，所述半导体集成芯片用于集成在IGBT模块的封装体内；其中，所述第一电极裸露所述第一半导体区的第一部分，所述第二半导体器件位于所述第一部分上方，所述第一半导体器件包括元胞区和包围所述元胞区的终端区，所述第一半导体区和第一电极均位于所述元胞区中，所述第一部分位于所述元胞区的中心处或者所述第一部分位于所述元胞区的边缘区，所述边缘区与所述中心处的距离大于所述边缘区到所述终端区的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株洲中车时代半导体有限公司 一种半导体集成芯片和IGBT模块
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