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申请/专利权人：重庆欣晖材料技术有限公司
摘要：本公开涉及半导体制造用SiC结构及其制备方法，该半导体制造用SiC结构包括层叠的多个SiC层，所述多个SiC层包括至少一个特定层，特定层的垂直于其晶体生长方向的晶面的原子密度大于所述多个SiC层中的其他SiC层的垂直于其晶体生长方向的晶面的原子密度。通过该SiC结构和制备方法，能够提高半导体制造用SiC结构的物理性质，增强抗等离子体特性，从而提高其在半导体制造过程中的应用性能和使用寿命。
主权项：1.一种半导体制造用SiC结构，其特征在于，包括层叠的多个SiC层，所述多个SiC层包括至少一个特定层，所述特定层的垂直于其晶体生长方向的晶面的原子密度大于所述多个SiC层中的其他SiC层的垂直于其晶体生长方向的晶面的原子密度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆欣晖材料技术有限公司 半导体制造用SiC结构及其制备方法
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