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申请/专利权人:复旦大学
摘要:本发明公开一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法。包括以下步骤:在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层,将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合;退火使多孔气泡层断裂,从LiTaO3晶圆剥离,在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜;对LiTaO3薄膜进行减薄处理;将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合;利用激光解键合技术,将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底;在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层;在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层;将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合;使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离,去除LiTaO3薄膜表面的Si层,使得LiTaO3薄膜下电极布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底;在LiTaO3薄膜上形成上电极。
主权项:1.一种基于激光解键合的钽酸锂薄膜SMR器件制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在LiTaO3晶圆内形成多孔气泡层,将晶圆分隔为上层LiTaO3薄膜和下层LiTaO3晶圆;将LiTaO3晶圆与支撑衬底键合;进行热退火处理,使得多孔气泡层从LiTaO3晶圆剥离,从而在支撑衬底上形成LiTaO3薄膜;对LiTaO3薄膜进行减薄处理;进行热退火处理,将第一Si衬底与上述形成在支撑衬底表面的LiTaO3薄膜直接键合,并退火形成稳定的键合对;利用激光解键合技术,将LiTaO3薄膜转移至第一Si衬底;在形成有LiTaO3薄膜的第一Si衬底内形成多孔气泡层;在LiTaO3薄膜上淀积下电极和布拉格反射层;进行热退火处理,将第二Si衬底与上述形成在第一Si衬底表面的布拉格反射层直接键合,并退火形成稳定的键合对;进行热退火处理,使得多孔气泡层从第一Si衬底剥离,再对表面进行抛光处理,去除LiTaO3薄膜表面的Si层,使得LiTaO3薄膜下电极布拉格反射层叠层转移至第二Si衬底;在LiTaO3薄膜上形成上电极。
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