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申请/专利权人：苏州优晶半导体科技股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种具有可调节充气机构的碳化硅单晶生长装置，其包括充气机构，充气机构包括管道组件、分流仓和调节盘；管道组件和分流仓连接，管道组件用于向分流仓输送工艺气体；分流仓设置于加热炉的加热腔内，分流仓间隔地设置于加热炉内的坩埚盖的上方；分流仓的底壁设置有第一出气孔，调节盘与分流仓可活动地连接，调节盘设置有第二出气孔，当调节盘相对于分流仓活动时，能调节第一出气孔和第二出气孔的重合度，从而调节工艺气体从分流仓的底壁输送至加热腔内的流量。该碳化硅单晶生长装置不仅能调控轴向温梯和生长面的温度均匀性，提高生长的碳化硅单晶质量，还能改善生长装置成本增加、结构复杂化的问题。
主权项：1.一种具有可调节充气机构的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括：加热炉（100），所述加热炉（100）具有加热腔（101）；坩埚（200），所述坩埚（200）装配于所述加热腔（101）内，所述坩埚（200）具有容纳腔（201），所述容纳腔（201）用于盛装碳化硅原料；坩埚盖（210），所述坩埚盖（210）可拆卸地设置于所述坩埚（200）的上方，且遮挡在所述容纳腔（201）的开口处，所述坩埚盖（210）用于设置籽晶（220）；以及，充气机构（300），所述充气机构（300）包括管道组件（310）、分流仓（320）和调节盘（330）；所述管道组件（310）和所述分流仓（320）连接，所述管道组件（310）用于向所述分流仓（320）输送工艺气体；所述分流仓（320）设置于所述加热腔（101）内，且所述分流仓（320）间隔地设置于所述坩埚盖（210）的上方；其中，所述分流仓（320）的底壁设置有第一出气孔（321），所述调节盘（330）与所述分流仓（320）可活动地连接，且所述调节盘（330）设置有第二出气孔（331），当所述调节盘（330）相对于所述分流仓（320）活动时，能调节所述第一出气孔（321）和所述第二出气孔（331）的重合度，从而调节工艺气体从所述分流仓（320）的底壁输送至所述加热腔（101）内的流量。
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