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申请/专利权人：王晓靁
摘要：本实用新型公开一种具有2D材料层的硅光子集成电路单块芯片，采用包含硅晶圆或SOI基板在内的硅基基板，硅基基板内形成光学被动元件，硅基基板上形成光子晶体面发射激光器；2D材料层形成在基板上；范德华外延层形成在2D材料层上；介电质掩膜层形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，侧向外延层结合n型掺杂层覆盖在介电质掩膜层和范德华外延层上；有源层形成在n型掺杂层上；光子晶体层形成在有源层上；p型掺杂层形成在光子晶体层上；n电极和p电极分别安装在n型掺杂层和p型掺杂层上。本实用新型可以脱离外延基板的局限，实现高质量化合物半导体外延，使PCSEL与硅光子整合。
主权项：1.一种具有2D材料层的硅光子集成电路单块芯片，其特征在于包括：基板，基板是一包含硅晶圆或SOI基板在内的硅基基板，硅基基板内形成光学被动元件，硅基基板上形成光子晶体面发射激光器PCSEL；光子晶体面发射激光器包括：2D材料层、范德华外延层、介电质掩膜层、n型掺杂层、有源层、光子晶体层和p型掺杂层；2D材料层形成在基板上；范德华外延层形成在2D材料层上，范德华外延层为III-V族化合物或III族氮化物；介电质掩膜层形成在基板的部分区域上或范德华外延层的部分表面上，以介电质掩膜层作为侧向外延屏蔽，侧向外延层结合n型掺杂层或p型掺杂层覆盖在介电质掩膜层和范德华外延层上；有源层形成在n型掺杂层或p型掺杂层上；光子晶体层形成在有源层上；p型掺杂层或n型掺杂层形成在光子晶体层上；n电极和p电极分别安装在n型掺杂层和p型掺杂层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 王晓靁 一种具有2D材料层的硅光子集成电路单块芯片
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