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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种Si基GeSPAD器件及其制备方法，制备方法包括：在SOI衬底的顶层硅离子注入形成n+‑Si电极接触层；在n+‑Si电极接触层上依次层叠制备i‑Si倍增层和绝缘层；刻蚀部分绝缘层露出i‑Si倍增层，形成电荷层窗口区域；利用原位掺杂工艺和原位生长工艺，在电荷层窗口区域的i‑Si倍增层上依次层叠制备p‑Si电荷层、i‑Ge吸收层和p+‑Ge电极接触层；对绝缘层和i‑Si倍增层进行刻蚀，形成n+区接触层通孔，在n+区接触层通孔内以及p+‑Ge电极接触层上，制备金属化工艺定义电极；在p+‑Ge电极接触层上制备抗反射层。本发明通过引入原位生长和原为掺杂工艺，避免引入大量晶格缺陷，从而提高了器件灵敏度和探测效率。
主权项：1.一种Si基GeSPAD器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在SOI衬底的顶层硅离子注入形成n+-Si电极接触层；步骤2：在所述n+-Si电极接触层上依次层叠制备i-Si倍增层和绝缘层；步骤3：刻蚀部分所述绝缘层露出所述i-Si倍增层，形成电荷层窗口区域；步骤4：利用原位掺杂工艺和原位生长工艺，在所述电荷层窗口区域的i-Si倍增层上依次层叠制备p-Si电荷层、i-Ge吸收层和p+-Ge电极接触层；步骤5：对所述绝缘层和i-Si倍增层进行刻蚀，形成n+区接触层通孔，在所述n+区接触层通孔内以及所述p+-Ge电极接触层上，制备金属化工艺定义电极；步骤6：在所述p+-Ge电极接触层上制备抗反射层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种Si基Ge SPAD器件及其制备方法
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