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申请/专利权人：浙江光电子研究院
摘要：本发明公开了一种新型Fe插层过渡金属二硫族化合物的单晶制备方法，包括步骤：A.将铁粉、铌粉、硒粉、碲粉混合研磨后，进行压片，得到块状合金混合物；B.将步骤A中的合金块状混合物置于第一石英管中；C.将步骤B中的第一石英管置于第二石英管中；D.将石英柱置于步骤C中的第二石英管中；E.利用真空封管机将步骤C中的第二石英管进行真空密封；F.将步骤E中的密封好的第二石英管置于箱式炉中加热至熔融温度并保温，然后冷却得到最终产物。
主权项：1.一种新型Fe插层过渡金属二硫族化合物的单晶制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：A.将铁粉、铌粉、硒粉、碲粉按照化学计量比0.9-1.1：0.03-0.1：0.1-0.45：0.55-0.9进行称量；B.将步骤A中称量好的粉末倒入玛瑙研钵中，用玛瑙研磨棒研磨30-60分钟；C.将步骤B中研磨好的粉末倒入压片模具中，利用压片机进行压片得到块状合金混合物；D.将步骤C中的块状合金混合物置于S1石英管中；E.将步骤D中的装有块状合金混合物的S1石英管置于S2石英管中；F.将石英柱作为封盖填置于步骤E中的S2石英管中；G.利用氢氧焰真空封管机上的真空泵组及氩气对步骤F中封盖好的S2石英管进行洗气处理并最终抽至真空；H.将氢氧焰对准石英柱中间位置，加热使S2石英管管壁和石英柱熔融在一起完成真空密封；I.将步骤H中的密封好的S2石英管置于填装有石英棉的氧化铝坩埚中，防止其倾倒；J.将步骤I中装有S2石英管的氧化铝坩埚放置于箱式炉中加热至熔融温度并保温，冷却得到最终产物。
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