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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，属于微电子领域。该器件通过在电流阻挡层内嵌入了InGaNAlNInGaN复合电流阻挡层，由靠近源极的InGaN层、AlN层和靠近电流孔径层的InGaN层组成。本发明由于电流阻挡层采用InGaNAlNInGaN复合结构，嵌入的InGaN层通过形成次沟道有效提升了器件的输出特性；与此同时，引入的GaNAlN异质结加速了沟道二维电子气的耗尽，从而抑制了次沟道引起的阈值电压负漂，极大增强了器件的栅控能力。
主权项：1.一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，自下而上包括漏极101、衬底102、缓冲层超结P柱112、缓冲层超结N柱103、电流孔径层104、电流阻挡层111、GaN沟道层105、势垒层106、P+GaN盖帽层107、钝化层109、栅极108以及源极110；其中，栅极108位于P+GaN盖帽层107上方；钝化层109分布在源极110右侧和栅极108左侧，三者上表面齐平；P+GaN盖帽层107位于势垒层106上方和栅极108下方，P+GaN盖帽层107左侧面与栅极108左侧面均与钝化层109右侧面接触；沟道层105位于势垒层106下方；电流阻挡层111位于沟道层105与源极110的下方和缓冲层超结P柱112的上方；缓冲层超结P柱112位于衬底102上方和缓冲层超结N柱103左侧，衬底102位于漏极101上方，其特征在于，该器件还包括InGaNAlNInGaN复合电流阻挡层，具体包括靠近源极的InGaN层113、AlN层114和靠近电流孔径层的InGaN层115，彼此相接触的排列在电流阻挡层111内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件
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