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申请/专利权人：无锡迪思微电子有限公司
摘要：本发明涉及一种光刻掩模版的清洁方法及设备，所述方法包括：将待清洁的光刻掩模版置于等离子体设备的腔体中；所述等离子体设备具有用于产生等离子体的射频电源；向所述腔体中通入惰性气体；所述惰性气体是氦气和或氦氢类混合气体；保持所述腔体中的所述惰性气体的温度低于50摄氏度，使所述惰性气体产生等离子体并作用于所述光刻掩模版。本发明通过氦气和或氦氢类混合气体的等离子体轰击光刻掩模版上的杂质离子，使杂质离子的化学键断裂并转换成气态或易溶于水的有机物杂质，后续可简单地去除。清洁过程对于EUV等高端光掩模表面的特殊复合物氧化层、吸收层和保护层结构不会造成破坏，能够提高芯片良率。
主权项：1.一种光刻掩模版的清洁方法，其特征在于，包括：将待清洁的光刻掩模版置于等离子体设备的腔体中；所述等离子体设备具有用于产生等离子体的射频电源；向所述腔体中通入惰性气体；所述惰性气体包括氦气和氦氢类混合气体，所述氦氢类混合气体占通入的惰性气体的流量比例不大于30％，所述氦气占通入的惰性气体的流量比例不小于70％；保持所述腔体中的所述惰性气体的温度低于50摄氏度，使所述惰性气体产生等离子体并作用于所述光刻掩模版。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡迪思微电子有限公司 光刻掩模版的清洁方法及设备
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