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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了掩模版及其修正方法。所述掩模版中形成有多个布线图案和多个连接孔图案。所述修正方法包括：获得所述掩模版的原始图案；在所述掩模版的原始图案中修改所述多个连接孔图案中第一连接孔图案的位置和或形状，从而生成所述掩模版的修正图案，其中，所述掩模版的原始图案中所述第一连接孔图案与所述多个布线图案中的相邻布线图案之间的距离小于阈值，所述修改用于增加所述第一连接孔图案与所述多个布线图案中的相邻布线图案之间的距离。该掩模版的修正方法通过在原始图案的基础上增加第一连接孔图案与相邻布线图案之间的距离以扩大工艺窗口，从而提高半导体器件的良率和电学性能。
主权项：1.一种掩模版的修正方法，所述掩模版中形成有多个布线图案和多个连接孔图案，所述修正方法包括：获得所述掩模版的原始图案；在所述掩模版的原始图案中修改所述多个连接孔图案中第一连接孔图案的位置和或形状，从而生成所述掩模版的修正图案；其中，所述掩模版的原始图案中所述第一连接孔图案与所述多个布线图案中的相邻布线图案之间的距离小于阈值，所述修改用于增加所述第一连接孔图案与所述多个布线图案中的相邻布线图案之间的距离;所述修改包括：在所述原始图案中，识别与所述多个连接孔图案期望连接的第一布线图案以及与所述多个连接孔图案相邻的第二布线图案，所述多个连接孔图案在所述第一布线图案的远离所述第二布线图案的第一侧边和所述第二布线图案的靠近所述第一布线图案的第二侧边之间排列；获得所述第一连接孔图案与所述第一布线图案的第一侧边之间的第一距离以及与所述第二布线图案的第二侧边之间的第二距离；在所述第一距离和第二距离符合设计规则的情形下增加所述第二距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 掩模版及其修正方法
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