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申请/专利权人：豪威科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种SOI图像传感器及其形成方法，包括：提供含SOI衬底的像素晶圆，在埋氧层和体硅层中形成隔离单元；隔离单元包括深沟槽和浅沟槽隔离，深沟槽从埋氧层延伸至体硅层中，形成深沟槽后的像素晶圆高温下退火；深沟槽中填充有多晶硅层；将像素晶圆与逻辑晶圆键合；减薄后刻蚀去除多晶硅层；高K介质层填充深沟槽，形成深沟槽隔离。前段工艺键合前将像素晶圆在高温下退火，修复刻蚀损伤，减少白像素。高K介质层在键合后形成，避免被前段工艺高温损伤。高K介质层与体硅层折射率相差较大，深沟槽隔离能在相邻像素单元之间起到很好的光学和电学隔离作用，有效防止相邻像素单元之间的电学和光学串扰，提高了满阱容量。
主权项：1.一种SOI图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供包含SOI衬底的像素晶圆，所述SOI衬底包括堆叠的基底硅层、埋氧层和体硅层；所述体硅层中形成有若干像素单元；在所述埋氧层和所述体硅层中形成若干位于相邻所述像素单元之间的隔离单元；所述隔离单元包括沿所述体硅层厚度方向连接分布的深沟槽和浅沟槽隔离，所述深沟槽从所述埋氧层延伸至所述体硅层中一定深度，形成所述深沟槽后的所述像素晶圆在高温下退火；所述深沟槽中填充有多晶硅层；将所述像素晶圆形成有所述浅沟槽隔离的一侧与逻辑晶圆键合；对所述像素晶圆进行减薄工艺去除所述基底硅层并停止在所述埋氧层；刻蚀去除位于所述深沟槽中的所述多晶硅层；形成高K介质层，所述高K介质层填充所述深沟槽，形成深沟槽隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 豪威科技(上海)有限公司 SOI图像传感器及其形成方法
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