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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
摘要：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括腔室本体，以及设置于所述腔室本体内的上电极组件和下电极组件，所述上电极组件和所述下电极组件之间形成工艺区；所述工艺腔室还包括：设置于所述上电极组件上方的磁性组件，所述磁性组件用于束缚所述工艺区内位于所述上电极组件附近的等离子体。本申请的磁性组件在上电极组件的下表面产生的磁场，形成磁致不对称效应，一方面可以增大上电极组件下表面附近的等离子体密度，从而改变两电极间CCP放电的对称性，减小下电极组件附近等离子体对晶圆的轰击能量，另一方面可以同时增强上电极组件下表面的等离子体轰击，将上电极组件下表面沉积的薄膜清除掉，从而延长工艺腔室的PM周期。
主权项：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体，以及设置于所述腔室本体内的上电极组件和下电极组件，所述上电极组件和所述下电极组件之间形成工艺区；所述工艺腔室还包括：设置于所述上电极组件上方的磁性组件，所述磁性组件包括：至少两个环形磁性件，以及壳体，所述壳体设置于所述上电极组件上方，所述至少两个环形磁性件设置于所述壳体内，用于束缚所述工艺区内位于所述上电极组件附近的等离子体；所述壳体上设置有用于供冷却介质流入的第一通孔，以及用于供所述冷却介质流出的第二通孔；所述上电极组件包括：匀流腔和导电的匀流件；所述匀流腔设置于所述匀流件与所述壳体之间，用于缓存工艺气体；所述匀流件，用于使所述匀流腔中的所述工艺气体均匀流入所述工艺区，以及用于连接第一射频电源；所述壳体与所述匀流腔之间设有间隙；所述壳体的中心设有上下贯通的第一避让通孔，所述第一避让通孔内设置有隔热固定环，用于供主进气管通过以与所述匀流腔连接，并防止所述工艺气体被所述壳体内的所述冷却介质冷却。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺腔室及半导体工艺设备
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