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申请/专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
摘要：本发明提供了一种能够适用于超宽温度范围的静电防护器，包括N型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阳极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，P型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阴极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，N型阱区和P型阱区之间设有SCR通路，静电防护器阳极与阴极之间还设有串联的分流模块和温控电阻模块，分流模块包括设置于N型阱区内的PMOS场效应管和设置于P型阱区内的NMOS场效应管，PMOS场效应管的漏极与NMOS场效应管的漏极相连构成分流模块分流路径。本发明的有益效果为：能够实现静电防护器周围工作环境温度变化对其维持电压影响较小。
主权项：1.一种能够适用于超宽温度范围的静电防护器，其特征在于：包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阳极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，所述P型阱区内设有通过金属互联线与静电防护器阴极相连的N+重掺杂有源区和P+重掺杂有源区，所述N型阱区和所述P型阱区之间设有SCR通路，所述静电防护器阳极与所述静电防护器阴极之间还设有分流模块和温控电阻模块，所述分流模块与所述温控电阻模块串联，所述分流模块包括设置于所述N型阱区内的PMOS场效应管和设置于所述P型阱区内的NMOS场效应管，所述PMOS场效应管的漏极与所述NMOS场效应管的漏极相连构成分流模块分流路径，所述温控电阻模块能够在静电防护器的工作环境温度变化时自行调整电阻大小改变所述分流模块分流路径的分流能力进而降低静电防护器维持电压的变化幅度。
全文数据：
权利要求：
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