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申请/专利权人：深圳新声半导体有限公司
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开一种谐振结构，包括：压电层；上电极层，设置在压电层的一面；下电极层，设置在压电层的另一面；隔离环，将压电层处于有效工作区域的部分包围；有效工作区域为第一投影和第二投影的交叠区域；第一投影为上电极层在压电层上的正投影，第二投影为下电极层在压电层上的正投影；隔离环至少一端凸出于压电层的表面；隔离环位于上电极层和下电极层之间。该谐振结构能够提升声学谐振器的品质因数，且制作更加方便。本申请还公开了一种声学谐振器和声学滤波器。
主权项：1.一种谐振结构，其特征在于，包括：压电层；上电极层，设置在所述压电层的一面；下电极层，设置在所述压电层的另一面；隔离环，将所述压电层处于有效工作区域的部分包围；所述有效工作区域为第一投影和第二投影的交叠区域；所述第一投影为所述上电极层在所述压电层上的正投影，所述第二投影为所述下电极层在所述压电层上的正投影；所述隔离环至少一端凸出于所述压电层的表面；所述隔离环位于所述上电极层和所述下电极层之间；位于所述隔离环上方的上电极层向上凸起形成上电极凸起部，所述上电极凸起部与所述隔离环贴合；和或，位于所述隔离环下方的下电极层向下凸起形成下电极凸起部，所述下电极凸起部与所述隔离环贴合；所述谐振结构还设置有环状支撑框架，所述环状支撑框架位于所述有效工作区域外，所述上电极层、压电层和下电极层在厚度方向上位于所述支撑框架内；所述环状支撑框架包括靠近所述上电极层的第一部分和靠近所述下电极的第二部分，所述环状支撑框架的第二部分设置在衬底上，所述环状支撑框架的第二部分、所述下电极层、所述衬底和所述隔离环之间形成空腔，所述下电极层的有效工作区域位于所述空腔内。
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权利要求：
百度查询： 深圳新声半导体有限公司 谐振结构、声学谐振器、声学滤波器
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