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一种工艺腔室和半导体工艺设备 

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申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

摘要:本发明公开了一种工艺腔室和半导体工艺设备,包括第一电极和第二电极,第一电极用于通过阻抗网络与地电连接,第二电极用于通过匹配器与射频电源电连接,其中,阻抗网络的阻抗值可调,用于调节第一电极的偏压,从而不仅可以使得等离子体对第一电极或第二电极表面的固态副产物进行清洁,避免固态副产物形成的颗粒掉落在晶圆等待加工器件的表面影响晶圆等待加工器件的加工良率,而且不会降低晶圆等待加工器件表面的刻蚀速率,也不会导致第一电极或第二电极出现过刻或不均匀的现象。

主权项:1.一种工艺腔室,其特征在于,包括上电极和下电极;所述上电极用于通过阻抗网络与地电连接;所述下电极用于通过匹配器与射频电源电连接;其中,所述阻抗网络的阻抗值可调,用于调节所述上电极的偏压,所述偏压至少用于吸引等离子体对所述上电极表面的固态副产物进行清洁。

全文数据:

权利要求:

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