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申请/专利权人：上海派拉纶生物技术股份有限公司
摘要：本发明涉及镀覆工艺技术领域，具体涉及一种微型阵列内腔器件及其防护方法，该防护方法通过将多通道半导体装置置于镀覆工装中进行定位分布，有利于提升多通道半导体装置的安全性和镀覆均匀性，同时采用两种不同的沉积速率依次沉积第一膜层和第二膜层，即先采用较低的沉积速率形成种子层，有利于提高微型阵列内腔器件内晶粒间隙内的成膜均匀性，而且能够提升膜层的沉积效率，同时降低工艺制备的成本。
主权项：1.一种微型阵列内腔器件的防护方法，其特征在于，包括以下步骤：S100，在所述微型阵列内腔器件不需要制备派瑞林保护层的区域形成遮蔽胶层；S200，将制备有遮蔽胶层的所述微型阵列内腔器件置于派瑞林镀覆装置的沉积室内的镀覆工装上；S300，采用第一沉积速率在所述微型阵列内腔器件的内部通道内沉积第一膜层；所述第一沉积速率为0.1μmh~0.5μmh，所述第一膜层的厚度为2μm~5μm；S400，采用第二沉积速率在所述第一膜层的表面继续沉积第二膜层；所述第二沉积速率为0.6μmh~1.5μmh，所述第二膜层的厚度为10μm~20μm，所述第一膜层与所述第二膜层的厚度比值为1:3~1:10；S500，去除遮蔽胶层，从而得到具有派瑞林保护层的所述微型阵列内腔器件；其中，所述派瑞林保护层由第一膜层和第二膜层组成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海派拉纶生物技术股份有限公司 一种微型阵列内腔器件及其防护方法
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