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申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
摘要：本实用新型公开了一种宽安全工作区的半导体功率器件的制作方法，包括提供一外延层；形成阻挡层；形成沟槽；形成场氧化层；形成源极多晶硅；形成隔离氧化层；形成栅极氧化层；沉积多晶硅并回刻，形成栅极多晶硅；设置掩膜层；蚀刻栅极多晶硅；去除掩膜层；进行离子注入，形成所述半导体功率器件。本实用新型通过使元胞不同位置的阈值电压不同，根据实际场景以及需求对元胞进行组合，使得器件使用过程中当栅源电压较小时，可以选择部分区域不开启，此时器件本身电流不大，部分区域开启就可以完成工作，部分区域不开启对于整个器件而言功率密度减小，散热能力增强。
主权项：1.一种宽安全工作区的半导体功率器件，其特征在于，包括外延层，所述外延层内设置有第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽和第二沟槽均包括场氧化层、隔离氧化层、源极多晶硅和栅极氧化层，所述第一沟槽还包括第一栅极多晶硅，所述第二沟槽还包括第二栅极多晶硅；所述场氧化层设置在沟槽内，所述场氧化层上方设置有源极多晶硅，所述隔离氧化层设置在源极多晶硅上方，所述第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅分别设置在第一沟槽和第二沟槽的隔离氧化层上方；所述第一栅极多晶硅与第二栅极多晶硅的高度不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种宽安全工作区的半导体功率器件
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