龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：飞锃半导体(上海)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区，所述外延层表面形成有暴露部分所述第三掺杂区的栅极氧化层和栅极层；第一开口，位于所述暴露的第三掺杂区中；第一金属硅化物，位于所述第一开口中；层间介质层，位于所述第一金属硅化物表面。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以提高第一金属硅化物的对准精度；提高第一金属硅化物和第二金属硅化物的电连接性；提高电场分布，提高器件性能和可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、位于所述第一掺杂区中的第二掺杂区以及位于所述第二掺杂区中的第三掺杂区；在所述外延层表面形成暴露部分所述第三掺杂区的栅极氧化层和栅极层；刻蚀暴露的所述第三掺杂区形成第一开口；在所述第一开口中形成第一金属硅化物并在所述栅极层表面形成第一金属层；在所述第一金属硅化物和第一金属层表面形成层间介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 飞锃半导体(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号