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申请/专利权人：和舰芯片制造(苏州)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种结构优化的OTP器件，包括半导体基底；电荷存储叠层以及保护层，电荷存储叠层设置于半导体基底上，电荷存储叠层依次包括栅极氧化层、浮栅、阻挡层；保护层包覆电荷存储叠层设置。本发明还提供了一种结构优化的OTP器件形成方法。本发明在传统OTP器件中引入保护层，该保护层为多晶硅‑金属硅化物阻挡层，该保护层作为电荷阻挡层，设置于金属硅化物阻挡层的外层，解决了传统器件在实际制程中电荷仍然会穿过金属硅化物阻挡层破坏OTP器件性能，将后续制程中的电荷在保护层即被阻挡，防止进入浮栅内影响OTP器件性能。
主权项：1.一种结构优化的OTP器件，其特征在于，包括：半导体基底；电荷存储叠层，所述电荷存储叠层设置于所述半导体基底上，所述电荷存储叠层依次包括栅极氧化层、浮栅、阻挡层；保护层，所述保护层包覆所述电荷存储叠层设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 和舰芯片制造(苏州)股份有限公司 一种结构优化的OTP器件及形成方法
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