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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
摘要：本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设于衬底上；第一沟槽，设于所述漂移区上，且从所述漂移区的表面开口并延伸至所述漂移区中；漏区，设于所述第一沟槽至少一侧的所述漂移区表面；栅极，设于所述第一沟槽内；场板，设于所述第一沟槽内，且位于所述漏区与所述栅极之间。如此，一方面，可以在器件击穿电压达标的情况下，使漏端漂移区浓度增大，从而减小器件的导通电阻；另一方面，可使栅极远离漏极，从而极大减小栅漏寄生电容，进而减小器件的开关损耗，提高器件的开关效率。
主权项：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底；漂移区，设于衬底上；第一沟槽，设于所述漂移区上，且从所述漂移区的表面开口并延伸至所述漂移区中；漏区，设于所述第一沟槽至少一侧的所述漂移区表面；栅极，设于所述第一沟槽内；场板，设于所述第一沟槽内，且位于所述漏区与所述栅极之间。
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权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法
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