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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请涉及一种逻辑与门器件及其制备方法。所述逻辑与门器件，包括：至少两个输入端、一个输出端和一个晶体管；晶体管包括：至少两个栅极、一个源极、一个漏极以及连接源极和漏极的有源结构；其中，栅极和有源结构中的一者环绕另一者设置；至少两个栅极在第一方向上间隔设置，并与输入端一一对应地连接；第一方向为晶体管导通时源极和漏极之间的电流传输方向；源极与参考电压端连接；漏极与输出端连接。本申请提供的逻辑与门器件占据面积较小，有利于提升空间利用率，进而提升器件集成度及存储密度。
主权项：1.一种逻辑与门器件，其特征在于，包括：至少两个输入端、一个输出端和一个晶体管；所述晶体管包括：至少两个栅极、一个源极、一个漏极以及连接所述源极和所述漏极的有源结构；其中，所述栅极和所述有源结构中的一者环绕另一者设置；至少两个所述栅极在第一方向上间隔设置，并与所述输入端一一对应地连接；所述第一方向为所述晶体管导通时所述源极和所述漏极之间的电流传输方向；所述源极与参考电压端连接；所述漏极与所述输出端连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 逻辑与门器件及其制备方法、电子设备
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