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五金工具产品及配附件制造技术
  • 一种具有高界面强度DLC涂层的制备方法
    一种具有高界面强度DLC涂层的制备方法_常州夸克涂层科技有限公司_202411401784.9
    本发明属于涂层技术领域，具体涉及一种具有高界面强度DLC涂层的制备方法。本发明通过设置金属打底层和碳过渡层，所制备出的DLC涂层具有优异的界面结合强度；本发明通过AIP与PECVD方式复合制备DLC涂层，具有较高的硬度与较低的表面摩擦系数；...
    2025-01-22
  • 利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法
    利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202310138408.4
    本申请公开了一种利用MOCVD系统修复石墨盘表面SiC涂层的方法，涉及半导体器件技术领域，包括以下步骤：将待修复的石墨盘放入MOCVD系统的反应腔内通入SiH4和C3H8进行...
    2025-01-22
  • 适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置
    适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置_哈尔滨工业大学_202411459982.0
    适用于曲面原子层沉积设备的均匀加热装置，本发明是为了解决传统原子层沉积技术仅适用于平面衬底，在曲面上进行原子层沉积存在衬底加热不均的问题。本发明均匀加热装置中的导热球壳为半球壳体并设置有热电偶，加热丝螺旋盘绕在导热球壳的外壳表面形成加热体，...
    2025-01-22
  • 一种速滑冰刀管激光原位合金化方法及装置
    一种速滑冰刀管激光原位合金化方法及装置_长春理工大学_202411453812.1
    本发明属于激光表面改性技术领域，公开了一种速滑冰刀管激光原位合金化方法及装置，进给装置协同夹紧装置完成多种类型冰刀管的装夹和定位，激光装置生成热源，激光能量的热作用将微熔冰刀管表面并分解氮气或二氧化碳，为冰刀管表面原位合金化提供氮或碳元素，...
    2025-01-22
  • 一种碲化铋材料表面处理方法
    一种碲化铋材料表面处理方法_杭州大和热磁电子有限公司_202111316673.4
    本发明涉及热电技术领域，为解决常规的碲化铋表面由于Ni层过厚导致器件负载增加、制冷温差降低，并且工艺复杂、成本较高，Ni层与碲化铋的结合力差、TEC可靠性不够高的一系列问题，本发明提出了一种碲化铋材料表面处理技术，利用离子注入与多弧镀或者磁...
    2025-01-22
  • 晶圆位置检测调整装置及立式炉
    晶圆位置检测调整装置及立式炉_上海微釜半导体设备有限公司_202411844851.4
    本发明涉及晶圆位置检测技术领域，尤其涉及一种晶圆位置检测调整装置及立式炉，其中，晶圆位置检测调整装置包括晶舟、升降机构、检测组件和纠偏机构；晶舟用于承载多层晶圆。检测组件能够随升降台沿竖直方向自下而上移动，用于检测每一层晶圆的圆心是否处于晶...
    2025-01-22
  • 一种PCVD工艺均匀沉积装置
    一种PCVD工艺均匀沉积装置_长飞光纤光缆股份有限公司_202323404055.2
    本实用新型涉及一种PCVD工艺均匀沉积装置，包括有同轴对应安设在床身两侧的旋转密封夹头，两侧的旋转密封夹头与同步旋转驱动装置相连，在两个旋转密封夹头之间设置有微波谐振腔，两个旋转密封夹头包括进气旋转密封夹头和排气旋转密封夹头，进气旋转密封夹...
    2025-01-22
  • 一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料
    一种制备碳化硅材料的方法及碳化硅材料_湖南德智新材料股份有限公司_202411433102.2
    本发明涉及半导体领域，提供了一种制备碳化硅材料的方法，所述方法包括：将石墨基座进行预处理；预处理后的所述石墨基座在1h内沉积碳化硅；所述石墨基座进行预处理的方法包括：将所述石墨基座在等离子气体中进行第一预处理，所述等离子气体为氧气或氧气和氮...
    2025-01-22
  • 用于热镀锌管生产的镀锌装置及其使用方法
    用于热镀锌管生产的镀锌装置及其使用方法_山西盛钰通金属加工有限公司_202411878921.8
    本发明属于对金属材料的镀覆技术领域，具体是一种用于热镀锌管生产的镀锌装置及其使用方法，所述用于热镀锌管生产的镀锌装置包括镀锌池和龙门架，所述龙门架内呈横向转动连接有转动轴，所述转动轴的外壁固定套设有两个固定盘，两个所述固定盘的外壁均固定有多...
    2025-01-22
  • 一种抗刮镜片及其加工工艺
    一种抗刮镜片及其加工工艺_视悦光学有限公司_202411473975.6
    本发明公开了一种抗刮镜片及其加工工艺，其包括：固化后的树脂基片，树脂基片表面通过溶胶凝胶工艺成型出加硬层；镀制于树脂基片前后表面的增透混合膜层，增透混合膜层由内至外依次包括二氧化硅膜层、锆钛混合物膜层、二氧化硅膜层、锆钛混合物膜层、ITO膜...
    2025-01-22
  • 一种在硫系玻璃的表面蒸镀截止膜制备工艺
    一种在硫系玻璃的表面蒸镀截止膜制备工艺_南京波长光电科技股份有限公司_202411304616.8
    本发明公开了一种在硫系玻璃的表面蒸镀截止膜制备工艺，具体涉及红外光学探测技术领域，包括以下步骤：S01、镀膜机执行前起始真空度优于5.0×10‑4Pa，烘烤温度为80‑150℃，而离子源参数设置为：阴极电压100‑30...
    2025-01-22
  • 一种可扩大镀膜面积的高效R形阴极真空弧磁过滤弯管装置
    一种可扩大镀膜面积的高效R形阴极真空弧磁过滤弯管装置_理玛镀膜科技(无锡)有限公司_202411819332.2
    本发明的针对现有技术中存在的痛点，设计出一款结构简单，但是镀膜洁净度较高、沉积率高的小口径弯管，同时为了解决镀膜面积的问题，本专利配备有扩口螺线管及放大扩口；为解决均匀性和沉积效率的问题，本专利设置有偏压电场进一步提高镀膜的均匀性和沉积效率...
    2025-01-22
  • 一种卷绕镀膜设备及卷绕镀膜方法
    一种卷绕镀膜设备及卷绕镀膜方法_泊肃叶科技(沈阳)有限公司_202310849563.7
    本发明公开一种卷绕镀膜设备及卷绕镀膜方法，卷绕镀膜设备包括真空腔室和计算控制中心；真空腔室内设置有偶数个镀膜辊。柔性薄膜在绕经每个镀膜辊时均通过真空蒸发镀膜分别在两个表面上沉积导电镀层。柔性薄膜上已沉积有导电镀层的两个表面均施加有负偏压，各...
    2025-01-22
  • 降低薄膜残余应力的方法
    降低薄膜残余应力的方法_吉林大学_202210068254.1
    本发明提供一种降低薄膜残余应力的方法，包括以下步骤：S1、通过高温胶带将衬底固定在带有弯曲面的柱状体上，将衬底严密贴附在柱状体表面，使衬底形成预弯折效应；S2、通过充满N2气体的手套箱将衬底移动至真空镀膜腔室中，并在衬...
    2025-01-22
  • 一种基于近空间升华沉积系统的余料检测装置及方法
    一种基于近空间升华沉积系统的余料检测装置及方法_中建材(株洲)光电材料有限公司_202411284094.X
    本发明公开了一种基于近空间升华沉积系统的余料检测装置及方法，包括激光测距设备、数据处理设备和升华沉积设备；装置工作时，激光测距设备向升华沉积设备发出激光，激光束会在升华沉积设备内放置的物料上表面进行反射，通过接收此反射光束并进行相关计算以得...
    2025-01-22
  • 一种焊带涂锡装置
    一种焊带涂锡装置_浙江川禾新材料有限公司_202420864612.4
    本实用新型公开了一种焊带涂锡装置，包括储液槽，所述储液槽内设有锡液，所述储液槽两侧均固设有支撑板，两个所述支撑板上设有支撑架，所述支撑架上设有电机，所述电机上连接有螺纹杆，所述螺纹杆上螺纹连接有矩形框架，所述支撑架底部设有导向杆，所述矩形框...
    2025-01-22
  • 一种复合叠层防水涂层制备装置
    一种复合叠层防水涂层制备装置_上海派拉纶生物技术股份有限公司_202411245163.6
    一种复合叠层防水涂层制备装置，涉及到多层薄膜沉积技术领域。主体为双层腔室设计，双层腔室同时引入ALD进气单元与Parylene进气单元，双层腔室之间接入低温流质进气单元，将需镀膜样置于腔室内样品支架上，通过低温流质（如液氮）实现腔体的快速降...
    2025-01-22
  • 微波等离子体化学气相沉积装置
    微波等离子体化学气相沉积装置_山西云矽电子科技有限公司_202010773689.7
    本发明涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：波导装置；反应腔，设置在所述波导装置下方，与所述波导装置连接；冷却罩，与所述反应腔连接，用于对所述反应腔进行风冷散热；屏蔽罩，围设在所述反应腔外部，以防止所述反应腔内的电磁辐射泄漏；旋转升降...
    2025-01-22
  • 一种激光雷达外罩用镀膜机
    一种激光雷达外罩用镀膜机_长春汽车工业高等专科学校_202411863889.6
    本发明涉及激光雷达外罩镀膜加工技术领域，具体是一种激光雷达外罩用镀膜机，包括镀膜调节座，还包括：覆盖分布支架，所述覆盖分布支架固定安装在所述镀膜调节座上，且所述覆盖分布支架上还设置有多个U型支座；其中，所述覆盖分布支架上还设置有主镀膜设备，...
    2025-01-22
  • 一种原子层沉积装置及原子层沉积方法
    一种原子层沉积装置及原子层沉积方法_江苏集萃有机光电技术研究所有限公司_202011133173.2
    本发明涉及半导体集成技术领域，尤其涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。所述原子层沉积装置包括作业载台和箱体，作业载台为回转体，作业载台的侧壁上设置有至少两个独立设置的载片腔和用于间隔载片腔的间隔部，载片腔上设置有用于向载片腔内通气的气孔...
    2025-01-22
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