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信息存储应用技术
  • 采用错误计数器和内部地址生成的管芯上ECC
    采用错误计数器和内部地址生成的管芯上ECC_英特尔公司_202111168284.1
    本发明涉及采用错误计数器和内部地址生成的管芯上ECC，以及涉及一种存储器子系统实现管理错误纠正信息。存储器装置对存储器位置的范围内部执行错误检测，并且对所检测的各错误使内部计数递增。存储器装置包括ECC逻辑，以生成指示内部计数与对存储器装置...
    2025-01-22
  • 电力控制链
    电力控制链_美光科技公司_202410911888.8
    本公开涉及电力控制链。一种方法包含确定涉及存储器子系统的电力事件已发生。所述方法进一步包含响应于所述确定所述电力事件已发生，产生指示操作执行的信令以向所述存储器子系统的多个存储器组件提供电力，其中指示执行的所述信令包含电力控制信号在第一时间...
    2025-01-22
  • 包含多个装置层级上的数据线的存储器装置
    包含多个装置层级上的数据线的存储器装置_美光科技公司_202011516933.8
    本申请案涉及包含多个装置层级上的数据线的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器单元串的第一柱；第二存储器单元串的第二柱；第一导电结构，其沿第一方向延伸，所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其...
    2025-01-22
  • 具辅助选择栅极线驱动器的非易失性存储器
    具辅助选择栅极线驱动器的非易失性存储器_力旺电子股份有限公司_202410906687.9
    本发明为一种具辅助选择栅极线驱动器的非易失性存储器，非易失性存储器中的阵列结构由2T2C存储器胞组成。再者，阵列结构中的存储器胞更连接至对应的辅助选择栅极线(auxiliary select gate line)。另外，辅助选择栅极线驱动器...
    2025-01-22
  • 高表面积导体材料的电容结构
    高表面积导体材料的电容结构_智汇达投资有限公司_202322584280.2
    本实用新型提供一种高表面积导体材料的电容结构，其于一支撑前体(例如导电性奈米纤维)的外表面形成一阻隔层，产生一混合前体，再辊压该混合前体，使该阻隔层部分的外表面破裂，产生多个开孔，使该支撑前体部分的外表面于该些个开孔曝露，再加入一导体材料至...
    2025-01-22
  • 一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用
    一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用_宁波工程学院_202210605950.1
    本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺...
    2025-01-22
  • SRAM电路
    SRAM电路_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_201910722100.8
    一种SRAM电路，所述SRAM电路包括：读单元以及写单元，其中：所述读单元，与所述写单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于读数据；所述写单元，与所述读单元连接，包括至少一个负电容晶体管，适于写数据；其中，所述读单元的至少一个负电容晶体管和...
    2025-01-22
  • 存储器操作方法、存储器及存储系统
    存储器操作方法、存储器及存储系统_长存创芯(北京)集成电路设计有限公司_202411365532.5
    本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该方法包括：对所述存储器的存储体进行读取操作；获取所述存储体的错误校正检测结果信息，所述错误校正检测结果信息基于对所述存储体的错误校正操作获得，所述错误校正操作基于所述读取...
    2025-01-22
  • 具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器
    具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器_力旺电子股份有限公司_202410836724.3
    本发明公开一种具鳍式场效晶体管的反熔丝型存储器，其中包括第一存储单元。第一存储单元包括：第一选择晶体管，第一跟随晶体管与第一反熔丝晶体管。第一选择晶体管的第一漏/源端连接第一位线，第一选择晶体管的栅极端连接第一字线。第一跟随晶体管的第一漏/...
    2025-01-22
  • 存储器系统及对存储器系统进行编程的方法
    存储器系统及对存储器系统进行编程的方法_爱思开海力士有限公司_202410342402.3
    本发明涉及一种存储器系统及对存储器系统进行编程的方法。该存储器系统可以包括存储器装置和存储器控制器。该存储器装置包括用于存储数据的存储器单元和用于存储指示数据的代码值的多个锁存器。存储器装置可以被配置成将数据编程到每个存储器单元中，将指示数...
    2025-01-22
  • 一种箱体标定和底面测距补偿方法及系统
    一种箱体标定和底面测距补偿方法及系统_海克斯康制造智能技术(青岛)有限公司_202411874504.6
    本发明基于测量的技术领域，公开了一种箱体标定和底面测距补偿方法及系统，其中补偿方法包括以下步骤：选择一箱体的放置位置为标准位置，并确定所述标准位置处的箱体的基准面标准测距值和底面标准测距值；采集待测箱体基准面的坐标数据，记为第一坐标数据；采...
    2025-01-22
  • 一种基于非均匀Mie共振超构材料的动态可调声多通道选择传输的方法
    一种基于非均匀Mie共振超构材料的动态可调声多通道选择传输的方法_南京工业大学_202310868609.X
    本发明设计了一种非均匀Mie共振结构，根据其构成的超构材料发生偶极子共振频率时的等频曲线及其旋转特性，发现在此频率下，非均匀Mie共振超构材料的等频曲线为曲率极大的双曲线且随单元结构旋转角度的不同也发生相应的旋转，声波在材料中的折射角的大致...
    2025-01-22
  • 存储器器件，集成电路器件及其操作方法
    存储器器件，集成电路器件及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202110838165.6
    本发明的实施例提供了一种存储器器件、集成电路器件及其操作方法。存储器器件，包括至少一个位线、至少一个源极线、至少一个编程字线、至少一个读取字线以及至少一个包括编程晶体管和读取晶体管的存储器单元。编程晶体管包括耦接到至少一个编程字线的栅极端子...
    2025-01-22
  • 一种具有宽电位窗口的强亲氢氧根性异质结电极材料及其制备方法与应用
    一种具有宽电位窗口的强亲氢氧根性异质结电极材料及其制备方法与应用_广东海洋大学_202411837474.1
    本发明属于材料科学与纳米技术及新能源领域，具体是一种具有宽电位窗口的强亲氢氧根性异质结电极材料及其制备方法与应用。异质结电极材料以微波辅助水热工艺制备，使异质结材料具有强亲氢氧根性；异质结电极材料在常规水系电解液三电极测试体系下电位窗口大于...
    2025-01-22
  • 信息处理装置以及控制方法
    信息处理装置以及控制方法_联想(新加坡)私人有限公司_202410935217.5
    本发明提供一种信息处理装置，在未被供给电源的状态下，减少SSD的数据变化，保证一定期间的SSD的数据的读出。信息处理装置具备：SSD(Solid State Drive)，通过由一个存储单元存储多位的数据的多位单元而构成，包含可电改写的非易...
    2025-01-22
  • 存储器阵列及存储器
    存储器阵列及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202310847579.4
    本申请提供一种存储器阵列及存储器，包括：沿第一方向延伸的多条第一控制信号线；沿第二方向延伸的多条位线，第一方向与第二方向相交；以及多条有源区，有源区设置有存储单元对，存储单元对包括第一区域、第二区域、沟道区域以及第一栅极，第一区域和第二区域...
    2025-01-22
  • 一种用于锂离子电容器的复合正极材料及其应用
    一种用于锂离子电容器的复合正极材料及其应用_上海奥威科技开发有限公司_202210294841.2
    本发明提供了一种用于锂离子电容器的复合正极材料及其应用，所述复合正极材料包括磷酸铁锰锂和多孔碳材料，所述多孔碳材料和磷酸铁锰锂的质量比为(60～90):(5～25)。本发明采用合适比例的碳材料和磷酸铁锰锂制备复合正极材料，磷酸铁锰锂结构稳定...
    2025-01-22
  • 一种电极材料制备方法和超级电容器应用
    一种电极材料制备方法和超级电容器应用_内蒙古电力(集团)有限责任公司内蒙古电力科学研究院分公司_202411397993.0
    本发明提供一种电极材料制备方法和超级电容器应用。电极材料制备方法为：将硝酸锌、硝酸钴、尿素、氟化铵与溶剂搅拌混合后加入泡沫镍，经一次水热反应后得到负载ZnCo2O4泡沫镍；再将硝酸镍、氟化铵和尿素...
    2025-01-22
  • 低代码线上项目调试方法及装置、存储介质、终端
    低代码线上项目调试方法及装置、存储介质、终端_深圳前海环融联易信息科技服务有限公司_202411223831.5
    本发明公开了一种低代码线上项目调试方法及装置、存储介质、终端，涉及低代码线上页面开发技术领域，主要目的在于解决低代码线上项目调试的效率较低的问题。主要包括响应于目标低代码线上项目的浏览器窗口中任一页面的加载指令，通过与低代码平台同源的内联框...
    2025-01-22
  • 一种安卓系统响应时间和帧率的同步获取方法和装置
    一种安卓系统响应时间和帧率的同步获取方法和装置_镁佳(北京)科技有限公司_202411351557.X
    本发明涉及性能测试技术领域，公开一种安卓系统响应时间和帧率的同步获取方法和装置。本发明公开获取与上位机进行预设连接的安卓设备列表，基于安卓设备列表确定目标安卓设备；采用预设命令行工具，使上位机获取目标安卓设备的触控信息与绘制信息；解析触控信...
    2025-01-22
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