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信息存储应用技术
用于在断电状态下进行非目标裸片上终端调整的设备、系统及方法
本公开涉及用于断电状态下的非目标裸片上终端(NT‑ODT调整)的设备、系统及方法。存储器装置具有NT‑ODT断电逻辑,当所述存储器装置处于断电状态时,所述NT‑ODT断电逻辑将命令地址端子的经指定引脚耦合到ODT控制电路,从而绕过命令解码器...
基于闪存的存储装置及其读取操作方法
一种存储器装置,其包括:包括多个存储器单元的存储器单元阵列;页缓冲器电路,其通过位线连接到多个存储器单元并且被配置为以页为单位读取存储在多个存储器单元中的数据;以及列解码电路,被配置为在读取操作期间基于包括在读取命令中的子页位图信息输出存储...
接收器、数据接收结构及存储器
本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种接收器、数据接收结构及存储器,其中,接收器包括:第一级采样电路,被配置为,接收输入信号和参考信号,并在采样阶段,基于输入信号和参考信号,生成并输出采样信号和互补采样信号;第二级采样电路,被配置为,接...
半导体存储设备及其自刷新方法
一种半导体存储器设备的自刷新方法,包括:接收自刷新进入命令;基于自刷新进入命令执行自刷新循环;接收自刷新退出命令;基于接收到自刷新退出命令确定刷新操作状态;以及基于确定刷新操作状态指示空闲状态,执行与行锤护理相对应的护理刷新操作。
存储器件、存储器系统和存储器件的操作方法
提供了存储器件、存储器系统和存储器件的操作方法。所述存储器件可以包括:第一校正电路,所述第一校正电路被配置为调整第一时钟信号至第四时钟信号的相位并且输出第一校正时钟信号至第四校正时钟信号;第二校正电路,所述第二校正电路被配置为基于包括在第一...
半导体存储器件
本公开公开了一种半导体存储器件,所述半导体存储器件包括第一半导体结构和第二半导体结构。所述第一半导体结构包括存储单元阵列和多个上金属焊盘,所述存储单元阵列形成在存储器区域中并且包括位线和字线。所述第二半导体结构设置在所述第一半导体结构下方,...
具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头
本申请题为“具有高阻尼尾部屏蔽晶种层的MAMR记录头”。微波辅助磁记录(MAMR)写头包括主极和尾部屏蔽件。自旋转矩振荡器设备设置在所述主极与所述尾部屏蔽件之间。自旋转矩振荡器设备包括自由层。尾部屏蔽件热晶种层设置在自旋转矩振荡器设备与尾部...
存储器装置及其操作方法和存储器系统
本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法和存储器系统,涉及半导体技术领域,能够降低相邻字线之间的信号串扰和信号损失。存储器装置包括多个存储串、多条字线和外围电路。每条字线与存储串中对应的存储单元耦接;多条字线包括选中字线以及与选中字线相...
基于液晶弹性体的电控可编程变形微型超级电容器及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于液晶弹性体的电控可编程变形微型超级电容器及其制备方法和应用,电控可编程变形微型超级电容器从下到上依次包括柔性液晶弹性体基底、叉指型电极以及准固态电解质层,所述柔性液晶弹性体基底的底部设有加热电路。将液晶弹性体的刺激响应性...
存储器装置以及存储器单元
一种存储器装置,包含存储器阵列,包含多个存储器单元,各存储器单元包含第一字元线、第二字元线、以及位元线。第一字元线施加第一信号以选取各存储器单元,以从各存储器单元读取数据或者将数据写入各存储器单元。第二字元线施加第二信号以选取各存储器单元,...
存储器单元布置及其方法
各个方面涉及一种存储器单元布置,其包括:多个自发极化存储器单元;和控制电路,控制电路配置为通过写入操作引起一个或多个第一存储器单元的写入,其中写入操作包括:向多个自发极化存储器单元供应写入信号集合,以在一个或多个第一存储器单元中的每一者处提...
一种磁性纳米多环存储器件及其制备方法、应用
本发明提供了一种磁性纳米多环存储器件及其制备方法、应用。磁性纳米多环存储器件,包括:衬底;附着于所述衬底上的单元;其中,所述单元由多个环边重叠或环边接触连接的纳米环构成。由于环边重叠型器件具有较大的交换耦合强度,其磁滞回线表现出三步磁化翻转...
存储器单元布置及其方法
各个方面涉及一种存储器单元布置,其包括:包括场效应晶体管结构和自发极化存储器层的存储器单元;和配置为通过写入操作引起存储器单元的写入的控制电路,写入操作包括:执行写入序列,该写入序列包括:向存储器单元供应写入信号集合以提供写入电压降,从而通...
非易失性存储器设备及其编程方法
公开了一种非易失性存储器设备的编程方法,所述非易失性存储器设备包括单元串,所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元,所述方法包括:执行第一编程阶段,包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或...
存储器装置及其操作方法
本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。包含用以储存第一数据位的第一存储器单元。第一存储器单元包含通道结构、源极结构、漏极结构及电荷阱层。当第一数据位具有第一逻辑值且施加于电荷阱层的电压信号具有第一电压电平时,流经通道结构的电流信号具有第一...
一种货道
本发明涉及一种货道,该货道包括支撑组件和载物组件,所述载物组件安装在支撑组件上,所述支撑组件包括型材、主动端支撑件、从动端支撑件,所述型材的两侧设有对称分布的滑槽,所述主动端支撑件安装在型材的一端、所述从动端支撑件安装在型材的另一端,所述载...
存储器件、存储器件的操作方法以及包括存储器件的存储器系统
提供了存储器件、存储器件的操作方法以及包括存储器件的存储器系统。所述存储器件包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括设置成多行的多个存储单元;擦除检测器,所述擦除检测器存储易受攻击行数据,所述易受攻击行数据包括与所述多行中的易受攻击行相对应...
一种货道
本发明公开了一种货道,该货道包括支撑组件和载物组件,所述载物组件安装在支撑组件上,所述载物组件包括链条和链板,所述链板的载物面设有凸起的分隔板,所述分隔板包括连接件和分隔件,所述连接件与分隔件之间以卡槽方式活动连接,所述货道还包括弯折挡杆,...
测试方法及装置
本公开提出一种测试方法及装置,属于计算机技术领域。该方法基于预获取的待测试系统的硬件参数,构建待测试系统的虚拟环境;由于虚拟环境用于模拟待测试系统的硬件环境,因此可以根据需求构建与各类硬件环境相对应的虚拟环境,提高了测试方法的灵活性,以及利...
执行乘法累加运算的非易失性存储器件
本公开提供一种执行乘法累加运算的非易失性存储器件。一种非易失性存储器件,包括:存储单元阵列,其包括多个非易失性存储元件以及与所述多个非易失性存储元件耦接的位线,所述多个非易失性存储元件被配置为储存多个权重并且根据多个输入信号而分别被控制;以...
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