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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本公开提供了一种沉积用喷洒头及治具、前驱体用量评估装置及方法。根据实施例,喷洒头包括在其喷洒面上的至少一个偏心或非对称设置的喷洒孔洞,用于使前驱体通过其中而向样品表面喷洒。
  • 本实用新型公开了一种连续送料装置,该装置内的第一储料机构与第二储料机构沿垂直方向连接;真空抽取机构通过第一管道连接至第一储料机构的上部,第二储料机构的上部通过第二管道连通至第一管道;储气机构通过第三管道连接至第二管道;储气机构通过第四管道经...
  • 本发明涉及热喷涂和表面渗氮技术领域,具体涉及一种多层结构的高导热抗磨损耐热腐蚀高熵合金涂层及其制备方法,包括:第一层的NiCr粘接层、第二层的AlCoCrNiMo高熵合金过渡层、第三层的AlCoCrNiMoBSi高熵合金功能层和第四层的渗氮...
  • 本发明为一种电浆增强式薄膜沉积设备,包括一腔体、一承载件、一喷洒头、一环状隔离单元及一射频线圈,其中腔体包括一容置空间,承载件位于容置空间内具有一承载面,并透过承载面承载至少一基板。喷洒头流体连接容置空间,喷洒头的出气口朝向承载面。环状隔离...
  • 本实用新型涉及一种磁控溅射设备,包括壳体、滑轨、滑块、C型绝缘件及磁控管,壳体开设有镀膜腔体,滑轨设于镀膜腔体内,滑块滑动连接于滑轨的一侧;C型绝缘件位于滑块背离滑轨的一侧且沿滑块的边缘弯折延伸形成第一安装槽,滑块固定于第一安装槽内,磁控管...
  • 实用新型公开了一种纳米材料真空镀膜一体机。纳米材料真空镀膜一体机,包括:真空镀膜机架、控制箱、抽真空件、预热箱,所述真空镀膜机架与控制箱电性连接,所述抽真空件与预热箱分别安装于真空镀膜机架内框两侧,所述预热箱上腔还安装有调节组件,所述调节组...
  • 本发明公开了一种环保型杂化成膜剂及其制备方法和应用,包括如下步骤:配制L半胱氨酸溶液和环保型金属盐溶液;所述金属盐选自硫酸氧钒、硫酸亚锡、硝酸钕、硝酸钇、硝酸铈中的一种;将所述L半胱氨酸溶液和金属盐溶液混合,得到混合液,调节pH至4‑4.5...
  • 本实用新型提供了一种放电腔结构及化学气相沉积设备,属于化学气相沉积设备领域。上述放电腔结构包括:腔体、样品台、及冷却容器,腔体包括底板;样品台设置在腔体中,用于放置待镀膜的基片。冷却容器设置在样品台的下方,并与底板或样品台的底部密封连接;冷...
  • 本申请涉及等离子体镀膜技术领域,具体提供了一种等离子体射流喷头及等离子体增强化学气相沉积设备,该喷头包括:喷头本体,其具有等离子激发仓和反应仓;前驱体喷出管,位于反应仓内,其底部的高度小于进气口的高度;第一螺旋气流引导结构,其包括第一圆环安...
  • 本实用新型属于真空镀膜设备技术领域,具体是一种真空镀膜设备用观察窗防污染装置,直角弯头的一端与真空镀膜设备的观察法兰密封连接,观察窗与直角弯头的另一端密封连接,镜片及防污板均位于直角弯头内,磁力驱动组件固定在直角弯头上,磁力驱动组件的输出端...
  • 本实用新型提供了一种生长设备及系统,生长设备包括壳体、气浮托盘和隔离结构;壳体内形成有容置腔、生长气体通道和旋转气体通道;容置腔的上端开口;旋转气体通道与容置腔连通,且两者的连通部位低于容置腔的上端端部;旋转气体通道具有与外界连通的旋转气体...
  • 本发明公开一种循环式三真空室快速磁控镀膜设备及方法,其设备包括循环设置的前旋转传送台、第一真空室、第二真空室、第三真空室、后旋转传送台和循环传送台,各真空室底部分别设有工件小车的传动组件,各真空室之间分别设有真空门阀;第一真空室与第三真空室...
  • 本实用新型公开一种三真空室磁控镀膜设备,包括依次设置的前旋转传送台、第一真空室、第二真空室、第三真空室和后旋转传送台,各真空室底部设有工件小车的传动组件,第一真空室与前旋转传送台之间、第一真空室与第二真空室之间、第二真空室与第三真空室之间、...
  • 本发明提供一种具有微流道的固态前驱体输送装置及输送方法,在所述托盘中设置可与所述托盘匹配安装、用以承载固态前驱体的所述隔板,且所述隔板内具有隔板微流道,所述隔板的底面具有与所述隔板微流道相连通的隔板进气口,所述隔板的表面具有与所述隔板微流道...
  • 本实用新型公开了一种基片台的提升装置,涉及半导体生产技术领域,包括基座和升降台,所述基座的两侧均至少设有一个导杆和至少一个升降气缸,升降台滑动连接于基座,升降台的两侧均设有直线轴承,直线轴承与导杆滑动配合,升降气缸上的活塞杆末端设有与升降台...
  • 本发明属于超精密加工领域,并公开了一种均匀化烧蚀单晶金刚石的方法,方法的具体步骤包括:在清洁后的单晶金刚石表面离子镀特定厚度的金属薄膜;利用纳秒脉冲激光对金属薄膜进行烧蚀,当金属薄膜被完全烧蚀后,继续烧蚀,直至所述单晶金刚石上生成石墨层。本...
  • 本发明公开了一种基板镀膜设备及其镀膜方法,其中设备包括镀膜室和中转室,镀膜室内设置有用于向基板的表面进行沉积镀膜的沉积装置,中转室内设置有机械手和支撑座,机械手用于将镀膜后的基板放置于支撑座上,中转室还设置有补偿装置,补偿装置包括驱动机构和...
  • 本申请提供了一种加工炉、加工设备、刻蚀方法及加工方法。其中,加工炉包括:第一炉管,第一炉管内形成有第一空腔;第二炉管,第二炉管套设于第一炉管的外侧,且第二炉管与第一炉管之间形成有第二空腔,第二空腔与第一空腔连通;第一进气管,第一进气管的一端...
  • 本发明属于半导体产品制造领域技术领域的一种薄膜沉积装置,本发明还涉及一种薄膜沉积方法。每个蒸镀源(20)位置分别设置对应的曲面反射器(30),镀膜腔壁(10)下部还设置平面反射器(40),镀膜腔壁(10)中部设置分束器(50),分束器(50...
  • 本实用新型公开了一种气相沉积装置,气相沉积装置包括:反应设备,反应设备内形成有反应腔,反应设备上还设置有反应腔的进口;升华设备,升华设备与反应设备构造为一体结构,升华设备上形成有与反应设备相贴合的连接面,升华设备内形成有与反应腔连通的升华腔...
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