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申请/专利权人：桂林电子科技大学;南宁桂电电子科技研究院有限公司
摘要：本发明公开一种基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiCMOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台，首先构建SiCMOSFET管结温控制电路，然后判断SiCMOSFET管结温是否需要降温，如果需要降温调节，则控制Si基MOSFET开关在SiCMOSFET器件关断时开启，同时通过控制Si基MOSFET开关在SiCMOSFET器件关断时的开启时刻实现开关轨迹调节；如果需要损耗控制时，则控制Si基MOSFET开关关断，并通过仿真电路来验证该结温控制电路及其方法。本发明提供的结温控制方法将缓冲电路与结温控制相结合，通过Si基MOSFET的特性，来实现结温的平滑控制。该电路可以主动控制SiCMOSFET的开关轨迹，实现损耗控制，进一步实现平滑结温控制，以此来达到延长器件使用寿命的目的。
主权项：1.基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiCMOSFET管结温控制方法，其特征在于：包括以下步骤：构建基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiCMOSFET管结温控制电路，所述无损缓冲电路设置有Si基MOSFET开关Ts和缓冲电容Cs；所述Si基MOSFET开关Ts与SiCMOSFET管的一端串接；所述缓冲电容Cs一端接于SiCMOSFET管的另一端，所述缓冲电容Cs的另一端接于Si基MOSFET开关Ts的另一端；判断SiCMOSFET管的结温并进行结温调节：在预估低结温的时间段，控制Si基MOSFET开关关断，使SiCMOSFET管工作在硬开关状态；在预估高结温的时间段，则控制Si基MOSFET开关在SiCMOSFET器件关断时开启，以减小SiCMOSFET管的关断损耗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 南宁桂电电子科技研究院有限公司 基于无损缓冲电路开关轨迹调节的SiCMOSFET管结温控制方法、电路以及模拟平台
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