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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2022-10-25
公开（公告）日：2023-01-31
公开（公告）号：CN115656297A
主分类号：G01N27/414
分类号：G01N27/414
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.02.17#实质审查的生效;2023.01.31#公开
摘要：本发明公开了一种基于复合半导体沟道的EGT及其制备方法，主要包括衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备复合半导体层，在多孔半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于漏极与源极重叠部分，在漏极上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。
主权项：1.一种基于复合半导体层的垂直EGT，其特征在于，包括：衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；所述衬底正中央设置矩形条状的源极，在源极的中央位置处设置方形复合半导体层，复合半导体层的宽度大于源极的宽度；在复合半导体层的中央位置处设置矩形条状的漏极，漏极的宽度小于复合半导体层的宽度；在漏极的中央位置处设置封装层，封装层的正中央开方形孔，此时从俯视图观察开孔的尺寸要满足漏极露出左、右块矩形条；所述封装层的上方覆盖电解质层，电解质层的大小要完全覆盖封装层的方形孔；在电解质层之上设置栅极，栅极与电解质层充分接触或者在复合半导体层的侧面设置栅极，栅极与源极位于同一平面；在栅极上施加控制信号，在漏极和源极间的源漏电压作用下，电解质层中的离子能够通过半导体中导离子的聚合物渗透进入或析出复合半导体层内部，从而调控其中半导体的再留浓度，实现对EGT的电流调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法
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