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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日：2020-12-25
公开（公告）日：2023-04-11
公开（公告）号：CN112759280B
主分类号：C03C23/00
分类号：C03C23/00;G01B11/06;G01B21/30;G01N21/31;G01N21/59;G01N21/65;G01Q60/24
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2023.04.11#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开
摘要：本发明涉及强激光光学元件加工技术，公开了一种熔石英光学元件表面Sol‑gel减反射膜层清洗方法，实施步骤包括：测量待清洗样品表面Sol‑gel减反射膜的膜层厚度h；使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹；将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内；将离子束机床工作腔抽真空，然后通入惰性气体；对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol‑gel减反射膜层。本发明工艺流程简单、可操作性强、能保证清除熔石英表面Sol‑gel减反射膜层，并确保在清洗的过程中改善表面质量，不产生含放射性污染的含氚废液。
主权项：1.一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法，其特征在于实施步骤包括：1）测量待清洗样品表面Sol-gel减反射膜层的膜层厚度h；2）使用玻璃夹具对待清洗样品进行装夹；3）将待清洗元件连同玻璃夹具装入离子束机床工作腔内；4）将离子束机床工作腔抽真空，然后通入惰性气体；5）对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺，去除待清洗样品表面膜层厚度h的Sol-gel减反射膜层；所述对待清洗样品进行一次惰性气体离子束干法清洗工艺时，采用的工艺参数为从多组清洗参数中优选出一组材料去除效率比最大的一组清洗参数，其中材料去除效率比的值为Sol-gel减反射膜去除效率除以熔石英基底去除效率得到的结果；所述工艺参数包括入射离子能量ε、峰值束流密度J、等离子体入射角度θ以及等离子体加工效率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种熔石英光学元件表面Sol-gel减反射膜层清洗方法
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