申请/专利权人：北京大学

申请日：2022-11-18

公开（公告）日：2023-07-07

公开（公告）号：CN115876994B

主分类号：G01N33/531

分类号：G01N33/531;G01N33/545;G01N33/68

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.07#授权;2023.04.18#实质审查的生效;2023.03.31#公开

摘要：本发明涉及生物传感器技术领域，具体公开一种DPP‑DTT晶体管生物传感器及制造方法和检测方法，该DPP‑DTT场效应晶体管是通过光刻、蚀刻和金属蒸镀制作的，DPP‑DTT被白细胞介素6IL‑6抗体进一步固定化。抗原IL‑6在芯片上的孵化，IL‑6被IL‑6抗体捕获到传感器表面。在清洗芯片上的溶液并吹干后，表征传感器的电学性能，通过施加恒定的Vgs和恒定的Vds，得到每种浓度的IL‑6的电流Ids，在与IL‑6孵化前后比较Ids等电性能，并绘制电信号与IL‑6浓度的线性关系，可以有效检测IL‑6浓度。本发明制造的DPP‑DTT场效应晶体管可以成为传感检测蛋白质的有效电转换器，并有可能用于检测其他各种蛋白质生物标志物。

主权项：1.一种DPP-DTT晶体管生物传感器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：对SiO2基底进行氧气等离子体处理后，用辛基三氯硅烷与甲苯在恒温下孵育；将二氯苯中的DPP-DTT旋涂在SiO2基底上，并作退火处理，得到DPP-DTTSiO2芯片；在所述DPP-DTTSiO2芯片上旋涂光刻胶，恒温软烘烤后冷却，在所述光刻胶DPP-DTTSiO2芯片上进行光刻，利用显影液对所述光刻胶DPP-DTTSiO2芯片进行显影，在光刻胶中显示沟道图案；以光刻胶图案作为保护层，利用等离子体对干燥后DPP-DTTSiO2芯片进行蚀刻，去除暴露的DPP-DTT，然后丙酮去除光刻胶，露出DPP-DTT沟道；在所述DPP-DTTSiO2芯片上加工制造出源电极和漏电极，得到DPP-DTT晶体管芯片；在所述DPP-DTT晶体管芯片上固定IL-6抗体；所述在所述DPP-DTT晶体管芯片上固定IL-6抗体，包括：将所述DPP-DTT晶体管芯片进行氧气等离子体处理；将NHS-EDC在恒温下加热，产生蒸汽沉积在所述DPP-DTT晶体管芯片的表面；用超纯水清洗所述DPP-DTT晶体管芯片，并用IL-6抗体覆盖在PBS中后低温储存，以将IL-6抗体固定在所述DPP-DTT晶体管芯片上；将低温储存后的带有IL-6抗体的DPP-DTT晶体管芯片取出，在室温下用BSA在TBS缓冲液中孵育后用超纯水清洗，以将DPP-DTTDPP-DTT晶体管芯片的表面封闭，以免其它蛋白质干扰检测。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 DPP-DTT晶体管生物传感器及制造方法和检测方法

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