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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法，通过实验分别建立阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性模型；搭建SiCMOSFET驱动与参数采集系统；在不同时间段采集三个电参数，即离线状态下的阈值电压、开通过程中的开通延迟时间和开通后工作过程中的导通电阻；利用阈值电压与开通延迟时间对SiCMOSFET工作过程中导通电阻的温敏特性进行老化补偿；利用老化补偿后的导通电阻作为温敏电参数预测出实时结温。本发明解决了测量SiCMOSFET结温时因器件老化引起的导通电阻变化，从而使结温测量结果严重偏移的问题，有效的保障SiCMOSFET健康、安全的工作。
主权项：1.具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法，其特征在于，利用不同时间段采集三个电参数，电参数包括阈值电压、开通延迟时间和导通电阻，经过两级补偿后，使用补偿后的导通电阻实现SiCMOSFET结温在线测量，具体按照以下步骤实施：步骤1、通过实验分别建立SiCMOSFET的阈值电压、开通延迟时间和导通电阻的温敏特性曲线模型；步骤2、搭建SiCMOSFET驱动与参数采集系统，用于驱动SiCMOSFET通断，并且对所使用参数进行采集；步骤3、在SiCMOSFET不工作时，利用采集到的壳温和阈值电压进行计算，得到阈值电压的偏移量，将此偏移量添加到步骤1所得的开通延迟时间与结温的曲线模型中进行补偿；步骤4、在SiCMOSFET开通过程中，系统采集开通延迟时间，利用补偿后的开通延迟时间与结温的曲线模型计算出器件实时结温；步骤5、采集导通电阻并根据步骤1所得的导通电阻温敏特性曲线模型计算结温，将步骤4的器件实时结温与步骤5计算所得结温进行对比，再计算导通电阻的变化量，将导通电阻的变化量添加到步骤1所得的导通电阻温敏特性曲线模型进行导通电阻的老化补偿；步骤6、在补偿过程结束后，SiCMOSFET器件正常工作过程中利用补偿后的导通电阻温敏特性曲线模型进行SiCMOSFET结温测量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 具有多参数老化补偿的SiCMOSFET结温测量方法
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