申请/专利权人：GSI亥姆霍兹重离子研究中心有限责任公司;达姆施塔特工业大学

申请日：2018-06-14

公开（公告）日：2023-11-14

公开（公告）号：CN110770944B

主分类号：H01M50/411

分类号：H01M50/411;B01D67/00;B01D69/02;B01D71/26;B01D71/34;B01D71/36;B01D71/48;B01D71/50;B01D71/64;H01M10/052;H01M10/054;H01M12/06;H01M50/449;H01M50/403

优先权：["20170614 EP 17305729.0"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.14#授权;2020.03.03#实质审查的生效;2020.02.07#公开

摘要：本发明涉及：多孔聚合物蚀刻离子径迹膜作为用于电池的隔板的用途，所述电池包括正极、负极和包含溶解在溶剂中的阳离子的至少一种盐的液体电解质；以及包括这样的膜作为多孔隔板的电池。

主权项：1.多孔聚合物蚀刻离子径迹膜作为锂-硫电池中的隔板的用途，所述锂-硫电池包括至少一个正极、至少一个负极和至少一种液体电解质，所述液体电解质包括溶解在至少一种溶剂中的锂的阳离子的至少一种盐，其中：-所述聚合物选自包括如下的组：聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚碳酸酯PC、聚乙烯PE、聚丙烯PP、聚酰亚胺PI、聚四氟乙烯PTFE、和聚偏氟乙烯PVdF，-所述膜具有正面、背面、和厚度，-所述膜的正面被设计成面对所述正极，-所述膜的背面被设计成面对所述负极，-所述膜的在所述正面和所述背面之间的厚度范围为5-60μm，-所述膜包括多个纳米通道，-所述纳米通道的大多数是连续的并且具有在所述膜的正面处的开口末端和在所述膜的背面处的开口末端，-在所述膜的正面处的所述纳米通道各自的开口末端直径DFS范围为10-200nm，-在所述正面处和在所述背面处的所述纳米通道的开口末端直径分布是窄的，其中表述“所述纳米通道的大多数是连续的”意指，所述纳米通道的至少80%是连续的，且表述“在所述正面处和在所述背面处的所述纳米通道的开口末端直径分布是窄的”意指，在所述膜的各面上，所述膜的所有纳米通道具有大致相同的开口末端直径，即相同的直径±0-10%，其中在所述膜的背面处的所述纳米通道各自的开口末端直径DBS大于或小于在所述膜的正面处的所述纳米通道各自的开口末端直径DFS并且范围为10-600nm，其中所述纳米通道具有圆锥形形状并且它们的纵轴彼此平行地取向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： GSI亥姆霍兹重离子研究中心有限责任公司;达姆施塔特工业大学 作为用于电池的隔板的多孔蚀刻离子径迹聚合物膜

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD