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申请/专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种VGF‑VB碲锌镉晶体生长方法。本发明的方法巧妙整合了VGF法和VB法，在晶体生长的前期阶段，保持晶体生长炉相对晶体生长容器固定不动，通过控制晶体生长炉内温场的变化实现温度梯度区相对熔体的移动以生长晶体；在晶体生长的后期阶段，保持晶体生长炉内的温场不变，通过控制晶体生长炉相对晶体生长容器移动以生长晶体。本发明的方法简化了温场程序，有利于温场的测定和匹配；避免了单独VGF法晶体生长中后期生长界面处温度梯度较小造成的生长界面向凹界面转变的缺陷；也避免了单独VB法晶体生长过程中坩埚和炉体产生的较大相对位移，避免了大温差引起的热应力；因而能够生长得到单晶率较高质量较好的碲锌镉晶体。
主权项：1.一种VGF-VB碲锌镉晶体生长方法，其特征在于：将生长碲锌镉晶体的原料封装于晶体生长容器中，将封装有原料的晶体生长容器置于晶体生长炉中，通过对晶体生长容器内的原料进行加热使之形成熔体，形成的熔体冷却结晶形成晶体；在晶体生长的前期阶段，保持晶体生长炉相对晶体生长容器固定不动，通过控制晶体生长炉内温场的变化实现温度梯度区相对熔体的移动以生长晶体；在晶体生长的后期阶段，保持晶体生长炉内的温场不变，通过控制晶体生长炉相对晶体生长容器移动以生长晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州哥地光子技术有限公司 一种VGF-VB碲锌镉晶体生长方法
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