龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：四川富乐华半导体科技有限公司
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-04-30
公开（公告）号：CN117954330A
主分类号：H01L21/48
分类号：H01L21/48;B08B3/08
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开
摘要：本申请涉及DCB氧化铝陶瓷基板制备技术领域，本发明公开了一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：步骤一：在蚀刻工艺完成后将DCB氧化铝陶瓷基板浸泡在氢氟酸溶液中；步骤二：将步骤一中浸泡后的DCB氧化铝陶瓷基板进行三次清洗；步骤三：将步骤二清洗后的DCB氧化铝陶瓷基板进行烘干。本发明通过在蚀刻后使用氢氟酸溶液浸泡以及三种不同清洁方式，有效消除产品烧结后的中间产物CuAlO2，破坏O‑Cu‑O结构，从而降低产品岛间漏电流，提高绝缘性能；氢氟酸清洁效率高，实现降本增效，节约成本。
主权项：1.一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法，其特征在于，包括烧结半成品、前处理清洗、图形转移、蚀刻，还包括以下步骤：步骤一：在蚀刻工艺完成后将DCB氧化铝陶瓷基板浸泡在氢氟酸溶液中；步骤二：将步骤一中浸泡后的DCB氧化铝陶瓷基板进行三次清洗；步骤三：将步骤二清洗后的DCB氧化铝陶瓷基板进行烘干。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 四川富乐华半导体科技有限公司 一种消除DCB氧化铝陶瓷基板岛间漏电流的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号