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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日：2018-03-26
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976703A
主分类号：H01L29/739
分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
优先权：["20170404 DE 102017107174.1"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：呈现了具有势垒区105的IGBT1。IGBT1的功率基本单元1‑1被装备有至少两个沟槽14、15，该至少两个沟槽14、15都可以延伸到势垒区105中。势垒区105可以是p掺杂的并且通过漂移区100被竖直限定即在延伸方向Z和逆延伸方向Z。势垒区105可以是电浮置的。
主权项：1.一种IGBT，包括：半导体本体，耦合到IGBT的第一负载端子和第二负载端子并包括漂移区，所述漂移区被配置为在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流，所述漂移区包括第一导电类型的掺杂剂；功率基本单元，包括：具有控制沟槽电极的控制沟槽和具有另外的沟槽电极的另外的沟槽，所述另外的沟槽电极电耦合到所述控制沟槽电极；有源台面，包括：源极区，具有第一导电类型的掺杂剂并且电连接至所述第一负载端子；和沟道区，具有第二导电类型的掺杂剂，所述沟道区分离源极区和漂移区，其中，在所述有源台面中，源极区、沟道区和漂移区中每一个的至少相应区段被布置成邻近所述控制沟槽的侧壁，并且其中，所述控制沟槽电极被配置为从IGBT的控制端子接收控制信号并且控制所述有源台面中的负载电流，所述另外的沟槽电极不被配置为控制所述负载电流；和电浮置半导体势垒区，在半导体本体中并且包括第二导电类型的掺杂剂，所述势垒区与有源台面和所述另外的沟槽的底部二者横向重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有dV/dt可控性的IGBT
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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