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申请/专利权人：广西华芯振邦半导体有限公司
申请日：2023-11-29
公开（公告）日：2024-05-03
公开（公告）号：CN117976635A
主分类号：H01L23/488
分类号：H01L23/488;H01L23/31
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明公开了一种ASIC凸块重布线倒装结构，包含有硅基层，所述硅基层的上表面分布有RDL线路层，所述RDL线路层四周设有Passivation护层，所述RDL线路层在Passivation护层作用下镶嵌在所述硅基层上，所述RDL线路层上设有金属焊接凸块，所述金属焊接凸块四周设有PI层，所述金属焊接凸块在所述PI层的作用下设置在所述RDL线路层上。通过由硅基层、RDL线路层、Passivation护层、金属焊接凸块、PI层组成的ASIC凸块重布线倒装结构，将其以倒装方式安装在PCB板上，达到降低生产难度、缩短生产周期、提高产品性能和实现器件微型化的目的。
主权项：1.一种ASIC凸块重布线倒装结构，其特征在于，包含有硅基层，所述硅基层的上表面分布有RDL线路层，所述RDL线路层四周设有Passivation护层，所述RDL线路层在Passivation护层作用下镶嵌在所述硅基层上，所述RDL线路层上设有金属焊接凸块，所述金属焊接凸块四周设有PI层，所述金属焊接凸块在所述PI层的作用下设置在所述RDL线路层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西华芯振邦半导体有限公司 一种ASIC凸块重布线倒装结构
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