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申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日：2020-05-15
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN111584692B
主分类号：H01L33/44
分类号：H01L33/44;H01L33/58;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2020.09.18#实质审查的生效;2020.08.25#公开
摘要：本发明公开了一种大发光角度倒装Mini‑LED芯片，其包括：倒装LED芯片本体，其包括衬底和设于衬底正面的发光结构；和折射层，其设于所述衬底的背面；所述折射层由多个棱台和或锥台组成，所述棱台锥台的底面与所述衬底连接；发光结构所发出的光线从所述棱台锥台的侧面和或顶面射出，以提升倒装Mini‑LED芯片的发光角度。相应的，本发明还公开了上述大发光角度倒装Mini‑LED芯片的制备方法。实施发明，可有效提升Mini‑LED的发光角度，使得Mini‑LED可应用于大规格的屏幕。
主权项：1.一种大发光角度倒装Mini-LED芯片，其特征在于，包括：倒装LED芯片本体，其包括衬底和设于衬底正面的发光结构；折射层，其设于所述衬底的背面；和遮挡层，其设于折射层的顶面；所述遮挡层包括第一遮挡层和第二遮挡层；所述第二遮挡层设于所述第一遮挡层上方；所述第一遮挡层为SiO2层和或SiNx层，其厚度为80~300nm；所述第二遮挡层为Al层、Ag层、DBR层中的一种或多种，其厚度为100~500nm；所述折射层由多个棱台和锥台组成，所述折射层的底面与所述衬底连接；所述发光结构所发出的光线从所述折射层的顶面射出，以提升倒装Mini-LED芯片的发光角度；所述棱台的底面的宽度为3~10μm，高度为0.5~2μm，所述锥台底面的直径为3~10μm，高度为0.5~2μm，所述棱台和或所述锥台间距均匀地分布在所述衬底上，相邻棱台和锥台之间的距离为0.5~2μm，相邻锥台或相邻棱台之间的距离为0.5~2μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佛山市国星半导体技术有限公司 大发光角度倒装Mini-LED芯片及其制备方法
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