申请/专利权人：宁波升谱光电股份有限公司

申请日：2018-07-27

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN109004072B

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/36;H01L33/50;H01L33/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2019.01.08#实质审查的生效;2018.12.14#公开

摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，并形成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。本发明还提供了一种倒装LED芯片的制备方法，所制备的倒装LED芯片同样具有上述有益效果。

主权项：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：荧光陶瓷衬底；其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；荧光陶瓷衬底的基底为多晶材料，所述荧光颗粒分布在多晶材料的晶粒间隙之间；位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层；位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。

全文数据：一种倒装LED芯片及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及LED技术领域，特别是涉及一种倒装Lm芯片及其制备方法。背景技术[0002]随着近年来科技不断的进步，LED发光二极管技术得到了极大的发展。相比如传统的照明设备，LED具有寿命长、高效可靠、照明亮度均匀、不含有毒物质等优点，被广泛的应用在医疗、照明等人们日常生活的领域。[0003]在现阶段，为了让安装有倒装LED芯片的LED器件可以发射出预设颜色的光线，通常需要对倒装LED芯片进行封装。如现有技术中结构最简单的CSP芯片级封装，也需要在倒装LED芯片的发光表面覆盖一层掺杂有荧光颗粒的荧光胶，通过倒装LED芯片所发出光线的激发、以及光线的互补而产生预设颜色的光线。[0004]但是无论使用哪种封装技术，至少会在倒装LED芯片表面覆盖一层厚度较厚的荧光胶，从而导致LED器件的耐热性较差，但是由于LED器件通常用于照明，其工作环境温度通常较高，使得现有技术中的LH器件的可靠性以及使用寿命通常较低。发明内容[0005]本发明的目的是提供一种倒装LED芯片，可以在不进行封装的情况下即可产生预设颜色的光线;本发明的另一目的在于提供一种倒装LED芯片的制备方法，所制备的倒装LED芯片可以在不进行封装的情况下即可产生预设颜色的光线。[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种倒装LED芯片，包括：[0007]荧光陶瓷衬底;其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；[0008]位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；[0009]位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；[0010]位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的P型外延层；[0011]位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；[0012]位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。[0013]可选的，所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒;所述发光层所发出的光线为蓝色光线。[0014]可选的，所述n型外延层为n型GaN层;所述p型外延层为p型GaN层。[0015]可选的，所述倒装LED芯片还包括：[0016]位于所述p型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。[0017]可选的，所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。[0018]可选的，所述荧光陶瓷衬底的基底为氧化铝或碳化硅。[0019]可选的，所述倒装LED芯片还包括：[0020]覆盖所述n型外延层侧壁、所述发光层侧壁和所述p型外延层侧壁的钝化层。[0021]可选的，所述发光层为量子阱有源区。[0022]可选的，所述倒装LED芯片还包括：[0023]位于所述P型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的镜面反射层。[0024]本发明还提供了一种倒装LED芯片的制备方法，包括：[0025]将荧光颗粒与基底粉末混合成前驱体粉末；[0026]烧结所述前驱体粉末并固化成荧光陶瓷衬底；[0027]在所述荧光陶瓷衬底的第一表面外延生长n型外延层；[0028]在所述n型外延层表面外延生长发光层；[0029]在所述发光层表面外延生长p型外延层；[0030]刻蚀所述p型外延层和所述发光层以暴露所述n型外延层表面的电极区域；[0031]在所述p型外延层表面设置p电极，并在所述n型外延层表面的电极区域设置n电极，以制成所述倒装LED芯片。[0032]本发明所提供的一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，其中发光层仅仅位于n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的发光区域，在型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的电极区域设置有n电极，同时在p型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面设置有P电极，以构成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装Lm芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在2〇〇°C左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。[0033]本发明还提供了一种倒装LH芯片的制备方法，所制备的倒装LH芯片同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。附图说明[0034]为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0035]图1为本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片的结构示意图；[0036]图2为本发明实施例所提供的一种具体的倒装LH芯片的结构示意图；[0037]图3为本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片制备方法的流程图。[0038]图中：1.荧光陶瓷衬底、2.n型外延层、3.发光层、4.p型外延层、41.p型AlGaN层、5.p电极、6.n电极、7.镜面反射层、8•钝化层。具体实施方式[0039]本发明的核心是提供一种倒装倒装LED芯片。在现阶段，为了让倒装LED芯片产生预设颜色的光线，在现有技术中均需要在倒装LED芯片的发光表面设置荧光胶，而荧光胶的可以承受的温度仅仅在2〇〇°C左右，设置荧光胶将直接导致LED器件的耐热性较差，使得现有技术中的LED器件的可靠性以及使用寿命通常较低。[0040]而本发明所提供的一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，其中发光层仅仅位于n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的发光区域，在型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的电极区域设置有n电极，同时在p型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面设置有P电极，以构成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装LED芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装Lm芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在200°C左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。[0041]为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。[0042]请参考图1，图1为本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片的结构示意图。[0043]参见图1，在本发明实施例中，所述倒装LED芯片包括：[0044]荧光陶瓷衬底1;其中，所述荧光陶瓷衬底1中分布有荧光颗粒;位于所述荧光陶瓷衬底1第一表面的n型外延层2;位于所述n型外延层2背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面发光区域的发光层3;位于所述发光层3背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的p型外延层4;位于所述P型外延层4背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的p电极5;位于所述n型外延层2背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面电极区域的n电极6。[0045]上述荧光陶瓷衬底1即在陶瓷材料中添加有荧光颗粒所制备而成的衬底。在本发明实施例中具体会使用荧光陶瓷衬底1作为制作倒装LED芯片的衬底。通常情况下，荧光陶瓷衬底1中的荧光颗粒会均匀分布在荧光陶瓷衬底1中。具体的，荧光陶瓷衬底1的基底通常为多晶材料，上述荧光颗粒通常是均匀分布在多晶材料的晶粒间隙之间，即上述荧光颗粒通常不会对多晶材料的晶格常数等物理性质造成影响。[0046]在本发明实施例中，上述荧光陶瓷衬底1的基底可以为氧化铝或碳化硅。即上述荧光陶瓷衬底1具体可以为在氧化铝晶体蓝宝石）中掺杂荧光颗粒而形成的荧光陶瓷衬底1，也可以是在碳化硅晶体Sic中掺杂荧光颗粒而形成的荧光陶瓷衬底1。当然，在本发明实施例中有关荧光陶瓷衬底1的基底的具体材质并不做具体限定，视具体情况而定。有关荧光陶瓷衬底1的具体制备流程将在下述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。[0047]在本发明实施例中，n型外延层2位于荧光陶瓷衬底1的第一表面。所谓第一表面，即荧光陶瓷衬底1中用于设置n型外延层2的表面，在本发明实施例中对于荧光陶瓷衬底1中第一表面的具体位置并不做具体限定。上述n型外延层2位于荧光陶瓷衬底1的第一表面且与荧光陶瓷衬底1固定连接。所述n型外延层2的作用是在工作状态下，向发光层3提供电子，从而在发光层3中实现空穴与电子的耦合，进而产生所需颜色的光线。具体的，上述n型外延层2通常为n型GaN层，当然，在本发明实施例中对于n型外延层2的具体材质以及具体厚度等相关参数并不做具体限定，视具体情况而定。[0048]在本发明实施例中，发光层3位于所述n型外延层2背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的发光区域。由于为了保证发光层3所产生的光线需要透过荧光陶瓷衬底1而向外界传递，本发明实施例所提供的LED芯片具体为倒装LED芯片，此时n型外延层2背向荧光陶瓷衬底1一侧表面通常被划分为两个区域:其中发光区域用于设置发光层3;而电极区域用于设置n电极6,有关n电极6的具体内容将在后续内容中做详细描述。[0049]上述发光层3位于n型外延层2背向荧光陶瓷衬底1一侧表面的发光区域，并且发光层3与n型外延层2固定连接。所述发光层3的作用是在工作状态下，接收由n型外延层2传递过来的电子以及有P型外延层4传递过来的空穴，该电子以及空穴会在发光层3中发生耦合，从而产生光线。具体的，上述发光层3通常为量子阱有源区，所谓量子阱有源区即交替排列阱层以及势垒层所堆叠而成的发光层3,有关量子阱有源区的具体结构可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。需要说明的是，在现阶段为了使得倒装LED芯片可以发射出白光，通常情况下需要上述发光层3具体可以发射出蓝光，相应的上述荧光陶瓷衬底1中的焚光颗粒具体为黄色焚光颗粒。在工作状态时，上述发光层3所发出的蓝光的一部分可以激发上述掺杂在荧光陶瓷衬底1中的黄色荧光颗粒发射黄光，该黄光会与剩余的蓝光互补从而形成白光，使得本发明实施例所提供的倒装LH芯片可以向外界发射白光。当发光层3需要向外界发射蓝光时，该发光层3具体可以为InGaNAlGaN结构的量子阱有源区。[0050]在本发明实施例中，p型外延层4位于发光层3背向荧光陶瓷衬底1一侧表面。通常情况下，上述P型外延层4需要与发光层3固定连接。所述p型外延层4的作用是在工作状态下，向发光层3提供空穴，从而在发光层3中实现空穴与电子的耦合，进而产生所需颜色的光线。具体的，上述P型外延层4通常为p型GaN层，当然，在本发明实施例中对于p型外延层4的具体材质以及具体厚度等相关参数并不做具体限定，视具体情况而定。[0051]在本发明实施例中，p电极5位于p型外延层4背向焚光陶瓷衬底1一侧表面，p电极5通过与P型外延层4相接触从而实现p电极5与p型外延层4之间的电连接。有关p电极5的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定，上述P电极5的材质可以具体为纯金属或合金等等。在本发明实施例中，n电极6位于n型外延层2背向荧光陶瓷衬底1一侧表面的电极区域，n电极6通过与n型外延层2相接触从而实现n电极6与n型外延层2之间的电连接。有关n电极6的具体材质在本发明实施例中并不做具体限定，上述n电极6的材质可以具体为纯金属或合金等等。需要说明的是，上述n电极6需要与发光层3以及p型外延层4相隔离，通常情况下是让n电极6不与发光层3以及p型外延层4相接触而实现相互隔离，以避免n电极6与p电极5之间短路。[0052]在工作状态时，n电极6与p电极5会与外界的电源电连接，外界的电源会在工作状态时通过先n电极6以及p电极5施加电压，从而驱动n型外延层2中的电子以及p型外延层4中的空穴移动到发光层3中，从而发生空穴-电子对的耦合，进而产生光线。[0053]本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底1，并在荧光陶瓷衬底1的第一表面依次设置有n型外延层2、发光层3以及p型外延层4,其中发光层3仅仅位于n型外延层2背向荧光陶瓷衬底1一侧表面的发光区域，在型外延层背向荧光陶瓷衬底1一侧表面的电极区域设置有n电极6,同时在p型外延层4背向荧光陶瓷衬底1一侧表面设置有P电极5,以构成倒装LED芯片的结构。发光层3所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底1，从而激发荧光陶瓷衬底1中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层3所产生并透过荧光陶瓷衬底1的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装LH芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在200°C左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。[0054]为了进一步的提高本发明所提供的倒装LED芯片的各项性能，在本发明中可以进一步的对倒装LED芯片的各项性能进行优化，详细内容将在下述发明实施例中做详细介绍。[0055]请参考图2,图2为本发明实施例所提供的一种具体的倒装LED芯片的结构示意图。[0056]区别于上述发明实施例，本发明实施例是在上述发明实施例的基础上，进一步的对倒装LED芯片的结构进行具体限定。其余内容已在上述发明实施例中进行了详细介绍，在此不再进行赘述。[0057]参见图2，在本发明实施例中，所述P型外延层4具体为p型GaN层，所述倒装LED芯片还包括位于所述P型GaN层与所述发光层3之间的p型AlGaN层41。即上述p型AlGaN层41通常覆盖所述发光层3背向荧光陶瓷衬底1一侧表面，同时P型GaN层覆盖p型AlGaN层41背向荧光陶瓷衬底1一侧表面。[0058]上述p型GaN层中通常可以掺杂较大浓度的空穴，使得p型GaN层中具有较高的载流子浓度。但是P型GaN层的禁带宽度较宽，需要施加较大的电压才能使得空穴移动。因此在本发明实施例中，可以在P型GaN层与发光层3之间设置p型AlGaN层41。？型AlGaN层41的禁带宽度较低，设置有P型AlGaN层41之后相当于在禁带中增加了一级阶梯，从而有效的调节了p型GaN层中空穴的能量，使得空穴可以先在较小的电压驱动下从P型GaN层移动到p型AlGaN层41，再在较小的电压驱动下从p型AlGaN层41移动到发光层3,从而降低驱动空穴移动时所需的电压，从而提高了倒装LED芯片中载流子移动的效率。[0059]作为优选的，在本发明实施例中，所述荧光陶瓷衬底1的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。即在本发明实施例中，可以采用掩膜、光刻等工艺，在荧光陶瓷衬底1的第一表面刻蚀出纳米图形，从而将荧光陶瓷衬底1制成表面具有纳米图形的荧光陶瓷衬底1，形成类似于NPSS表面具有纳米图形的蓝宝石衬底的结构。[0060]通过在荧光陶瓷衬底1的第一表面刻蚀纳米图案可以在荧光陶瓷衬底1的第一表面形成空气柱，从而有效减少后续在荧光陶瓷衬底1第一表面生长的膜层的应力以及位错。在本发明实施例中，对于具体刻蚀的纳米图案并不做具体限定，视具体情况而定。同样在本发明实施例中对于纳米图案的具体深度同样不做具体限定。[0061]作为优选的，在本发明实施例中，所述倒装LED芯片还包括位于所述p型外延层4背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的镜面反射层7。即所述镜面反射层7通常设置与P型外延层4与p电极5之间。[0062]上述镜面反射层7主要用于将上述发光层3所产生的光线尽可能多的反射至荧光陶瓷衬底1，从而提高倒装LED芯片的出光量。通常情况下，上述发光层3会向四面八方发射光线，而上述镜面反射层7可以将向背向荧光陶瓷衬底1一侧发射的光线向朝向荧光陶瓷衬底1的方向反射，从而提高倒装LED芯片的出光量。具体的，在本发明实施例中，所述镜面反射层7主要为金属铝，或者是铝钛合金所制成的金属箔。当然，在本发明实施例中对于镜面反射层7的具体材质并不做具体限定，视具体情况而定。通常情况下，镜面反射层7需要具有良好的导电性，以保证P型外延层4与p电极5之间电连接。[0063]作为优选的，在本发明实施例中，所述倒装LED芯片还包括覆盖所述n型外延层2侧壁、所述发光层3侧壁和所述p型外延层4侧壁的钝化层8。即上述钝化层8通常需要覆盖倒装LED芯片与外界环境相接触的表面，以保护倒装LED芯片不易受到外界环境的腐蚀与破坏。通常情况下，上述钝化层8还需要覆盖荧光陶瓷衬底1的侧壁、荧光陶瓷衬底1背向第一表面的第二表面，以及n型外延层2背向荧光陶瓷衬底1一侧表面中裸露在外界环境中的表面。当然，若在倒装LED芯片中还设置有其他的膜层，在该膜层与外界环境相接触的表面通常需要设置钝化层8。需要说明的是，上述钝化层8通常不会覆盖在p电极5以及n电极6的表面，以使得n电极6和p电极5可以与外界的电源电连接。[0064]通常情况下，在制备上述倒装LED芯片的过程中，在设置上述n电极6以及p电极5之前，会对倒装LED芯片的表面进行钝化处理，从而在倒装LED芯片与外界环境相接触的表面形成一钝化层8。在设置p电极5时，需要刻蚀部分钝化层8以暴露p型外延层4;相应的在设置n电极6时，需要刻蚀部分钝化层8以暴露上述n型外延层2表面的电极区域。通过上述钝化层8可以在有效保护倒装LED芯片的同时，改进倒装LED芯片中发光层3的电流扩展问题，降低电流堆积效应，提高倒装LED芯片的光输出率。有关上述钝化层8的具体材质以及具体参数在本发明实施例并不做具体限定，只要能起到钝化效果即可，视具体情况而定。[0065]本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片，通过在p型GaN层与发光层3之间设置p型AlGaN层41可以降低驱动空穴移动时所需的电压，从而提高了倒装LED芯片中载流子移动的效率;通过在荧光陶瓷衬底1的第一表面刻蚀纳米图案，可以有效减少后续在荧光陶瓷衬底1第一表面生长的膜层的应力以及位错，从而提高倒装LED芯片的质量;通过在p型外延层4背向荧光陶瓷衬底1一侧表面设置镜面反射层7,可以有效提高倒装LED芯片的出光量;通过在倒装LED芯片与外界环境相接触的表面设置钝化层8可以有效保护倒装LED芯片不易受到腐蚀以及损坏。[0066]下面对本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片的制备方法进行介绍，下文描述的制备方法与上文描述的倒装LED芯片可以相互对应参照。[0067]请参考图3,图3为本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片制备方法的流程图。[0068]参见图3，在本发明实施例中，所述倒装LED芯片的制备方法包括：[0069]S101:将荧光颗粒与基底粉末混合成前驱体粉末。[0070]在本步骤中，会将荧光颗粒与基底粉末混合成前驱体粉末。具体的，在本步骤中，可以将荧光颗粒、基底粉末等于纯水混合成前驱体浆料，需要的话还可以往前驱体浆料中添加催化物粉末，并进程充分的混合;之后将前驱体浆料中进行干燥，从而得到前驱体粉末。有关前驱体粉末的具体成分可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0071]S102:烧结前驱体粉末并固化成荧光陶瓷衬底。[0072]在本步骤中，会将前驱体粉末加热至熔融状态，并逐步降温使得前驱体粉末固化，并最终得到荧光陶瓷衬底。通常情况下，在前驱体粉末固化之后，会得到以陶瓷柱，通常情况下需要将陶瓷柱切割成薄片从而得到荧光陶瓷衬底。通常情况下，还需要对荧光陶瓷衬底进行清洗、抛光等预处理，以保证荧光陶瓷衬底的第一表面相对清洁、平整。[0073]在上述预处理之后，可以进一步的采用掩膜、光刻等工艺，在荧光陶瓷衬底的第一表面刻蚀出纳米图形，从而将荧光陶瓷衬底制成类似于NPSS表面具有纳米图形的蓝宝石衬底的结构。有关荧光陶瓷衬底的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。[0074]S103:在荧光陶瓷衬底的第一表面外延生长n型外延层。[0075]在本步骤中，会在荧光陶瓷衬底的第一表面外延生长n型外延层。具体的，在本步骤中具体可以采用M0CVD设备，在荧光陶瓷衬底的第一表面外延生长n型外延层。有关n型外延层的具体结构己在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。有关设置上述n型外延层时M0CVD设备的具体参数可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0076]S104:在n型外延层表面外延生长发光层。[0077]在本步骤中具体可以采用M0CVD设备，在n型外延层表面外延生长发光层。有关发光层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。有关设置上述发光层时M0CVD设备的具体参数可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0078]S105:在发光层表面外延生长P型外延层。[0079]在本步骤中，具体可以采用M0CVD设备，在发光层的表面外延生长p型外延层。有关P型外延层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。有关设置上述P型外延层时M0CVD设备的具体参数可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0080]若在本步骤中所设置的p型外延层为p型GaN层，相应的在本步骤之前，可以先在发光层表面外延生长P型AlGaN层，再在本步骤中在p型AlGaN层的表面外延生长p型GaN层。在设置P型AlGaN层时，具体可以采用M0CVD设备，在发光层的表面外延生长P型AlGaN层。有关p型AlGaN层的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。有关设置上述p型AlGaN层时M0CVD设备的具体参数可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0081]S106:刻蚀p型外延层和发光层以暴露n型外延层表面的电极区域。[0082]在本步骤中，会刻蚀掉部分p型外延层以及部分发光层。具体的，会将n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面中电极区域所对应的P型外延层以及发光层刻蚀掉，己暴露出n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的电极区域，以便在后续步骤中制成倒装LED芯片。有关刻蚀的具体工艺可以参照现有技术，在本发明实施例中并不做具体限定。[0083]S107:在p型外延层表面设置p电极，并在n型外延层表面的电极区域设置n电极，以制成倒装芯片。[0084]在本步骤中，具体会在p型外延层的表面设置p电极，以保证p电极可以与p型外延层电连接;相应的在本步骤中会在n型外延层背向焚光陶瓷衬底一侧表面的电极区域设置n电极，以保证n电极与n型外延层电连接。通常情况下，n电极不能与上述发光层以及p型外延层接触，从而避免P电极与n电极之间发生短路。有关上述n电极以及p电极的具体结构已在上述发明实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在执行完上述流程之后，即可制成本发明实施例所提供的倒装LED芯片。[0085]本发明实施例所提供的一种倒装LED芯片的制备方法，所制备而成的倒装LED芯片中发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装LED芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在20TC左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LH器件的可靠性以及使用寿命。[0086]本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。[0087]专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。[0088]结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器RAM、内存、只读存储器ROM、电可编程R0M、电可擦除可编程R0M、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。[0089]最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。[0090]以上对本发明所提供的一种倒装LED芯片及其制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

权利要求：1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：荧光陶瓷衬底;其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；位于所述焚光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的P型外延层；位于所述P型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的P电极；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒;所述发光层所发出的光线为蓝色光线。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述n型外延层为n型GaN层;所述P型外延层为P型GaN层。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：位于所述P型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光陶瓷衬底的基底为氧化错或碳化娃。7.根据权利要求1所述的倒装Lm芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：覆盖所述n型外延层侧壁、所述发光层侧壁和所述p型外延层侧壁的钝化层。8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光层为量子阱有源区。9.根据权利要求1至8任一项权利要求所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述倒装LED芯片还包括：位于所述P型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的镜面反射层。10.—种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：将荧光颗粒与基底粉末混合成前驱体粉末；烧结所述前驱体粉末并固化成荧光陶瓷衬底；在所述荧光陶瓷衬底的第一表面外延生长n型外延层；在所述n型外延层表面外延生长发光层；在所述发光层表面外延生长P型外延层；刻蚀所述P型外延层和所述发光层以暴露所述n型外延层表面的电极区域；在所述P型外延层表面设置P电极，并在所述n型外延层表面的电极区域设置n电极，以制成所述倒装LED芯片。

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